Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 117 118 119 120 121 122 123... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ сказывается и на величине эффективной массы. По данным расчетов, приведенным в [38] для Si02 толщиной 2,2 нм, эффективная масса рав­на 0,0095/и0, а для 3,3 нм ОЛЗт^. Как показали В. Харелл и Дж. Фрей при приложении внешнего электрического поля, наряду с изменением высоты потенциального барьера за счет наклона зон и сил зеркального отображения, требуется учитывать эффект Пула—Френкеля. Далее при­ведена модельная зависимость потенциального барьера от напряженно­сти электрического поля [37]: где ; , (В-см2)1/3; , (В • см)1/2. По результатам расчетов высоты потенциального барьера на грани­це кремний—двуокись кремния показано [38], что в изменении потен­циального барьера можно выделить три области: слой нестехиометри-ческого оксида SiOx толщиной 1нм; на расстоянии от границы раздела 1...3 нм преобладают четырехчленные кольца из тетраэдров Si04; на рас­стоянии от 3 до 6 нм расположены шестичленные кольца (свойства тре­тьего слоя мало отличаются от свойств объема оксида). Особое место в исследовании дефектности и зарядовой нестабильно­сти МДП-структур принадлежит методам, использующим инжекцию носителей в диэлектрик, в силу их чувствительности именно к электри­чески активным дефектам. Данные методы обладают высокой достовер­ностью, экспрессностью и могут быть применены в автоматизирован­ных системах операционного технологического контроля в производстве МДП-БИС. Развитие инжещионных методов исследований и контроля осуществля­ется в трех основных направлениях. Первое — повышается их инфор­мативность с целью получения новых данных, которые не могут быть получены с использованием других методов исследования. Второе — раз­вивается совместное использование инжекционных методов исследова­ния с такими традиционными методами, как вольт-фарадные характе­ристики (ВФХ), зарядовые накачки, токи термостимулированной депо­ляризации (ТСД) и другие. Причем многие возможности этих традиционных методов могут быть реализованы в рамках инжекцион­ных методик [39]. Третье — учет требований производства интеграль­ных схем, важнейшими из которых являются: сокращение времени про­ведения контрольно-измерительных операций, уменьшение степени вли­яния на характеристики контролируемых структур, точная дозировка инжекционных воздействий, повышение информативности, снижение 120 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу