Новые материалы






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 115 116 117 118 119 120 121... 734 735 736
 

НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Зависимость плотности туннельного тока сильнополевой инжекции от напряженности электрического поля при туннелировании по Фаулеру-Нордгейму описывается следующим выражением:
(2.1)
где Jnплотность тока туннельной инжекции; q — заряд электрона; w0 — масса покоя электрона; т* — эффективная масса электрона; р, -постоянная Планка, деленная на 2л; фв — высота потенциального барь­ера для электронов на инжектирующей границе раздела; Е — напряжен­ность катодного электрического поля.
Это выражение получено в предположении параболической зависи­мости энергии электрона от волнового вектора и не учитывает: зависи­мость эффективной массы электрона от энергии под потенциальным барьером в запрещенной зоне двуокиси кремния; тепловое размытие распределения электронов по энергии в металлическом или полупровод­никовом электродах; снижение высоты потенциального барьера за счет влияния сил зеркального изображения. Учет этих факторов существен­но усложняет аналитическое описание зависимости плотности туннель­ного тока от напряженности электрического поля на инжектирующей границе раздела, не приводя, однако, к значительным изменениям об­щего вида зависимости. Поэтому в большинстве практических случаев используется зависимость (2.1).
Из данного выражения могут быть определены эффективная масса электрона и высота потенциального барьера на инжектирующей грани­це. Для границы Si—Si02 значения эффективной массы и высоты по­тенциального барьера, полученные различными авторами, варьируются в пределах т* = 0,32m0...l,03m0; фв = 2,8...3,19 эВ. Наблюдаемый разброс параметров связан с различными условиями эксперимента, накоплени­ем заряда в диэлектрике в процессе измерений, влиянием дефектов на границе раздела полупроводник—диэлектрик, применением при матема­тической обработке результатов различных моделей туннельного процес­са, учитывающих отклонения дисперсионной зависимости от параболи­ческой. Анализ (проведенный 3. Вайнбергом) полученных эксперимен­тальных зависимостей туннельного тока от электрического поля, определенных по ним значений эффективной массы электрона и высо­ты потенциального барьера и применяемых при этом моделей туннель-
118
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 115 116 117 118 119 120 121... 734 735 736

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Сварка на контактных машинах
Краткий справочник технолога-термиста
Спутник термиста
Новые материалы
Твердые сплавы
Цементация стали
Зварювальні матеріали

rss
Карта