Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 115 116 117 118 119 120 121... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость плотности туннельного
тока сильнополевой инжекции от напряженности электрического поля при
туннелировании по Фаулеру-Нордгейму описывается следующим
выражением: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где Jn —
плотность тока туннельной инжекции; q — заряд электрона;
w0 — масса покоя электрона; т* — эффективная масса
электрона; р,
-постоянная
Планка, деленная на 2л; фв — высота потенциального барьера
для электронов на инжектирующей границе раздела; Е —
напряженность катодного электрического поля.
Это выражение получено в
предположении параболической зависимости энергии электрона от
волнового вектора и не учитывает: зависимость эффективной массы
электрона от энергии под потенциальным барьером в запрещенной зоне
двуокиси кремния; тепловое размытие распределения электронов по энергии в
металлическом или полупроводниковом электродах; снижение высоты
потенциального барьера за счет влияния сил зеркального изображения. Учет
этих факторов существенно усложняет аналитическое описание
зависимости плотности туннельного тока от напряженности
электрического поля на инжектирующей границе раздела, не приводя, однако,
к значительным изменениям общего вида зависимости. Поэтому в
большинстве практических случаев используется зависимость
(2.1).
Из данного выражения могут быть
определены эффективная масса электрона и высота потенциального барьера на
инжектирующей границе. Для границы Si—Si02 значения
эффективной массы и высоты потенциального барьера, полученные
различными авторами, варьируются в пределах т* =
0,32m0...l,03m0; фв = 2,8...3,19 эВ.
Наблюдаемый разброс параметров связан с различными условиями эксперимента,
накоплением заряда в диэлектрике в процессе измерений, влиянием
дефектов на границе раздела полупроводник—диэлектрик, применением при
математической обработке результатов различных моделей туннельного
процесса, учитывающих отклонения дисперсионной зависимости от
параболической. Анализ (проведенный 3. Вайнбергом) полученных
экспериментальных зависимостей туннельного тока от электрического
поля, определенных по ним значений эффективной массы электрона и
высоты потенциального барьера и применяемых при этом моделей
туннель- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 115 116 117 118 119 120 121... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |