Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 113 114 115 116 117 118 119... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ ^ Гигантский рост производства изделий микроэлектроники основывал­ся во многом на увеличении диаметра полупроводниковых пластин, что само по себе представляло чрезвычайно сложную материаловедческую задачу, требующую решения большого комплекса научно-технических задач на каждом этапе увеличения диаметра. В настоящее время широ­ко применяемый диаметр кристаллографически совершенных монокри­сталлов кремния, обладающих высокой чистотой и однородностью (ме­нее одного атома примеси на 107 атомов кремния), применяемых в производстве, составляет 200 мм. В ближайшее время планируется, а на отдельных предприятиях уже и осуществляется, переход на еще боль­шие диаметры 300 и 450 мм. Основными результатами, достигнутыми кремниевой технологией на рубеже веков, можно считать: степень интеграции для схем памяти 109 бит и для микропроцессоров 2,1 • 107 транзисторов в кристалле; ми­нимальные топологические размеры для схем памяти 0,18 мкм, микро­процессоров 0,13 мкм; тактовая частота 1,3 ГГц; площадь кристалла 400 мм2 для схем памяти и 340 мм2 для микропроцессоров [36]. Увеличение степени интеграции изделий микроэлектроники обуслов­ливает необходимость повышения их надежности, что неразрывно свя­зано с совершенствованием методов производственного контроля интег­ральных схем. Достигнутый уровень развития технологии, высокая интеграция и надеж­ность ИС и БИС на основе кремния указывают на то, что в качестве основного материа­ла для изготовления интеграль­ных схем на ближайшие 10-15 лет останется кремний. Основ­ными базовыми элементами И С и БИС будут являться структуры металл—диэлектрик-полупроводник (МДП) с диэ­ лектрическими слоями на ос- Рис. 2.7. Минимальные размеры элементов dmin и степень интеграции и интегральных схем в зависимости от года выпуска: 1, 3 — динамическая память; 2, 4 — микро­процессоры; 5 — результаты прикладных ис­следований нове термической двуокиси кремния. Увеличение степени интеграции микросхем обеспе­чивается уменьшением длины каналов и толщины подзатвор- 116 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу