Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 110 111 112 113 114 115 116... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
гии и материаловедения
полупроводниковых наноструктур вряд ли возможно без глубокого
проникновения в природу явлений, разыгрывающихся в традиционных
полупроводниковых средах на атомном (молекулярном) уровне. Это, в
свою очередь, требует разработки новых нестандартных методов
исследования с использованием сканирующей атомно-силовой и туннельной
микроскопии, электронной микроскопии высокого разрешения, рентгеновской
спектрометрии с применением син-хротронного излучения и ряда других
современных подходов.
Серьезную конкуренцию
наноэлектронике, основанной на использовании традиционных
неорганических полупроводниковых материалов, в решении задач создания
сверхминиатюрных и сверхбыстродействующих электронных устройств может
составить молекулярная электроника. Как показывают исследования последних
лет, индивидуальные молекулы ряда ароматических органических веществ,
биомолекулы и углеродные нанотрубки обладают электрическими
свойствами, которые, как считалось ранее, характерны только для объемных
полупроводников. Они являются прекрасными проводниками электрического
тока и могут использоваться в качестве переключателей при плотностях
тока в миллионы раз больших, чем традиционная медная проволока. На их
основе можно создавать мономолекулярные диодные переключатели,
молекулярные полевые транзисторы и ряд других приборов. С использованием
явлений самоорганизации на основе такого рода молекул можно
формировать логические интегральные схемы и схемы памяти, рабочие
напряжения в которых намного меньше, чем в традиционных
полупроводниковых аналогах.
В настоящее время природа
явлений, лежащих в основе проявления молекулами столь удивительных
свойств, еще далеко не ясна, и в этом направлении развернуты
широкомасштабные комплексные исследования. Тем не менее, совокупность
полученных экспериментальных данных позволяет говорить о том, что в самом
ближайшем будущем может произойти переворот в технике создания
компьютеров, основанный на использовании высокоэффективных интегральных
схем, где функции составляющих их электронных приборов будут выполнять
индивидуальные молекулы. Уже на 2004 г. намечено создание
молекулярной памяти объемом 16 Кбит. Если эти достаточно обоснованные
прогнозы станут реальной действительностью, индустрия электронного
приборостроения получит в свое распоряжение удивительно простую технологию
изготовления УСБИС нанометрового уровня, в основе которой будут
лежать дешевые химические процессы, осуществляемые в большинстве
случаев |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 110 111 112 113 114 115 116... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
