Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 109 110 111 112 113 114 115... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
снованным оптимизмом оцениваются
перспективы создания «одноэлек-тронных» приборов, теоретический предел
быстродействия которых составляет сотни терагерц, при
энергопотреблении ~10"8 Вт. Активно обсуждаются проблемы
создания квантовых интегральных схем, основными элементами которых
должны стать квантовые точки, квантовые проводники, квантовые ямы,
транзисторные структуры на основе квантоворазмерных эффектов и
устройств с управляемой интерференцией электронов.
Все перечисленное стало возможным
лишь благодаря вьщающимся достижениям в развитии технологии
молекулярно-ггучковой и МОС-гид-ридной эпитаксии, обеспечившим возможность
синтеза высококачественных квантоворазмерных композиций широкого
круга полупроводниковых материалов. Однако по существу развитие
технологии и материаловедения наноструктур лишь только начинается. С
материаловедческих позиций наноструктуры являются весьма специфическими
объектами, свойства которых в значительной степени определяются свойствами
их поверхности и явлениями, разыгрывающимися на границах раздела фаз. Все
это определяет специфику межфазных взаимодействий и особенностей
поведения примесей и структурных дефектов в наноразмерных многофазных
композициях. Ключ к получению недеградирующих наноструктур с
контролируемыми свойствами лежит в детальном исследовании всех этих
явлений.
В настоящее время уже мало кто
сомневается в том, что решающую роль в формировании нанокомпозиций типа
сверхрешеток, состоящих из квантовых ям, проволок или точек, играют
эффекты самоорганизации. Однако для того, чтобы обеспечить, например,
получение композиций с однородным распределением необходимого
количества квантовых точек контролируемого размера, надо иметь четкое
представление о механизме явлений, лежащих в основе самопроизвольного
возникновения макроскопического порядка в первоначально однородной
системе, т. е. выявить основные движущие силы «самоорганизации». Для
различных типов наноструктур причины неустойчивости однородного
состояния системы могут существенно различаться и в каждом конкретном
случае в этом надо детально разбираться. Только такого рода подходы
позволяют с наибольшим эффектом реализовать возможности процессов
самоорганизации. В последние годы исследования в этом направлении
развиваются весьма успешно. Можно было бы перечислить и ряд других
проблем, обусловленных специфическими свойствами нанокомпозиций, но
уже из изложенного ясно, что успешное развитие
техноло- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 109 110 111 112 113 114 115... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
