Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 108 109 110 111 112 113 114... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
Заключение
Вторая половина прошедшего
столетия ознаменована грандиозными достижениями в развитии
полупроводниковой электроники, и прежде всего микро- и оптоэлектроники.
Эти достижения обеспечили невиданный прогресс в вычислительной технике,
информатике, радиоэлектронике, энергетике и в других передовых
областях науки и техники. Совершенно очевидно, что все эти
преобразования были бы вряд ли возможны без выдающихся достижений в
развитии материаловедения и технологии полупроводниковых
материалов.
В XXI век микроэлектроника вошла
с производством УСБИС динамической памяти на 1 Гбит и
микропроцессоров с тактовыми частотами до 1,2 ГГц. К 2010-2012 гг.
предполагается довести эти показатели до 64 Гбит и 10 ГГц, соответственно.
Если сегодня размер единичного транзистора в УСБИС составляет 0,18...0,13
мкм, то к 2012 г. предполагается довести эту величину до 0,03...0,035
мкм. Аналогичная тенденция резкого повышения степени микроминиатюризации
наблюдается и в оптоэлектронике. Уже сегодня размеры активных областей
инжекцион-ных лазеров на квантовых ямах вышли на нанометровый уровень, а
впереди активное освоение производства лазеров на основе квантовых точек.
Освоение размерного диапазона 1,0...0,1 мкм представляет собой весьма
сложную технологическую задачу, но происходит оно с использованием
традиционной элементной базы. Совершенно другая ситуация складывается при
освоении диапазона линейных размеров менее 0,1 мкм. Здесь возникает
фундаментальный физический барьер, обусловленный резкими изменениями
практически всех свойств твердого тела, в том числе и электропроводности.
При достижении таких размеров в соответствующих объектах начинают в
полной мере проявляться квантовые эффекты, что требует совершенно иного
подхода к конструированию приборов, которые должны работать на новых
физических принципах. Вот почему освоение нанометрового диапазона размеров
в современной твердотельной электронике выделено в специальное
направление, названное наноэлектроникой.
Интенсивное исследование
квантовых эффектов в сверхтонких полупроводниковых гетероструктурах
уже привело к появлению новых классов полупроводниковых приборов —
резонансных туннельных диодов и транзисторов, обладающих потенциально
очень высоким быстродействием (предельные частоты до 1012
Гц) и широким спектром других возможностей, а также инжекционных
лазеров на квантовых ямах и квантовых точках с уникальными рабочими
характеристиками. С обо- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 108 109 110 111 112 113 114... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
