отображения информации (плоские
экраны, копировальные устройства, принтеры и т. д.). Несмотря на сильную
конкуренцию со стороны других материалов, можно оценивать и
перспективы дальнейшего существенного увеличения потребления структур
на основе a-Si:H и родственных ему материалов для изготовления солнечных
батарей, используемых не только в бытовой электронной технике, но и для
электроснабжения жилых объектов и создания мощных «солнечных»
электростанций. Однако, на пути еще более эффективного промышленного
внедрения гидрированных полупроводников в электронное приборостроение
стоит ряд нерешенных технологических и материаловедческих проблем.
Остановимся на некоторых из них.
Одной из основных проблем
является создание эффективной технологии получения однородных по
толщине и свойствам пленок на подложках большой площади. Состав, структура
и свойства гидрированных пленок определяются механизмом
физико-химических превращений, имеющих место в плазме тлеющего разряда или
просто в газовой фазе (если речь идет о традиционных методах осаждения из
газовой фазы) непосредственно в зоне осаждения, а также на ростовой
поверхности и существенным образом зависят от условий выращивания.
Детальное исследование этих процессов позволит обеспечить воспроизводимые
условия роста пленок на всей площади подложки, интенсифицировать и
оптимизировать процессы их получения, а также создать
высокопроизводительное автоматизированное технологическое
оборудование.
Одним из наименее изученных
является вопрос о структурных особенностях гидрированных пленок и о
влиянии «структуры» на фундаментальные электрические и оптические
характеристики получаемых композиций. В детальном исследовании этих
проблем лежит ключ к получению приборных композиций с воспроизводимыми и
оптимизированными структурой и электрофизическими свойствами. Если
для пленок a-Si:H к настоящему времени достигнут значительный прогресс в
этом направлении, то пленки других гидрированных полупроводников еще
существенно им уступают как по своим структурным характеристикам, так
и по возможностям воспроизводимого управления их электрическими и
оптическими свойствами.
Много неясного остается еще в
понимании природы и роли водорода в формировании свойств пленок; в
понимании особенностей поведения в гидрированных полупроводниках различных
остаточных и легирующих примесей; в понимании физико-химических процессов,
лежащих в основе деградации приборных структур под влиянием
освещения, ионизиру-
