Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 102 103 104 105 106 107 108... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
Проводимость пленок uc-Si:H
изменяется в широких пределах в зависимости от условий их получения
и, соответственно, от относительного содержания и размеров
присутствующих в них микрокристаллитов, а также от уровня легирования
пленок. Проводимость нелегированных пленок p.c-Si:H с параметром
^c, близким к единице, при комнатной температуре, составляет
10"4.. ЛО"5 Ом_1см_1. Путем
легирования фосфором или бором проводимость может быть увеличена до 1
Ом^'см"1. Величина дрейфовой подвижности электронов и дырок в
нелегированном u.c-Si:H изменяется в пределах 0,5...3
см2В"'с-1, в зависимости от величины
Хс. Температурная зависимость проводимости пленок в
области температур, превышающих 250...270 К, носит активационный
характер. Энергия активации зависит от уровня легирования и
изменяется в пределах 0,1...0,6эВ. При температурах ниже 250 К
проводимость с понижением температуры изменяется существенно слабее.
Колоннообразная структура пленок является причиной анизотропии их
электрических и фотоэлектрических параметров. Оптические свойства
пленок p.c-Si:H, и прежде всего спектральная зависимость коэффициента
поглощения, также являются весьма чувствительной функцией
Хс и изменяются в пределах, характерных для a-Si:H
(при Хс«: 1) и кристаллического кремния
(Хс ~ 1). В отличие от пленок a-Si:H, в пленках uc-Si:H
не наблюдаются свето-индуцированные изменения электрических и
фотоэлектрических параметров. Благодаря своим специфическим
электрическим и оптическим свойствам микрокристаллический кремний является
хорошим дополнением к a-Si:H при создании многослойных пленочных
структур различного приборного применения. В значительной степени
этому способствует и совместимость технологий получения этих
материалов.
Несмотря на сравнительно короткую
историю, гидрированные полупроводники, и прежде всего пленки oc-Si:H
и многослойные структуры (в том числе гетероструктуры) на их основе, уже
вышли на рельсы достаточно широкого практического использования. Солнечные
батареи, фотоприемники, координатно-чувствительные детекторы ионизирующих
излучений, тонкопленочные полевые транзисторы, высокоскоростные
пространственные модуляторы света, фоточувствительные слои в
электрофотографии и лазерных принтерах, мишени видиконов, светодиоды
-вот далеко не полный перечень приборных применений гидрированного
кремния и родственных ему материалов. Использование гидрированных
полупроводников в современной электронной технике расширяется с каждым
годом. Наиболее многообещающим направлением эффективного
использования этих материалов являются приборы регистрации
и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 102 103 104 105 106 107 108... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
