Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 101 102 103 104 105 106 107... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
делах от десятков до сотен
нанометров. Соотношение фаз, размеры и характер распределения отдельных
кристаллитов, а соответственно и основные свойства пленок, в значительной
степени определяются условиями их получения.
Наиболее распространенными
методами получения пленок це-Si.H являются: плазмохимическое осаждение из
парогазовой смеси SiH4 и Н2; осаждение из газовой
фазы путем термического разложения SiH4 и твер-дофазовая
кристаллизация аморфного материала. Как и в случае пленок a-Si:H,
наиболее распространен метод плазмохимического осаждения. При этом,
для увеличения доли кристаллической фазы и размера отдельных кристаллитов,
существенно уменьшают объемную долю SiH4 в парогазовой смеси
(< 5 %) и увеличивают температуру осаждения до 350...400°С. Увеличению
размеров микрокристаллитов способствует и повышение частоты возбуждения
плазменного разряда до 50...120 МГц. Более благоприятные условия для
контролируемого увеличения доли микрокристаллической фазы в пленке
обеспечивает метод осаждения из газовой фазы путем термического разложения
силана. В данном случае постепенное увеличение содержание водорода в
парогазовой смеси приводит к монотонному увеличению доли
микрокристаллической фазы в осаждаемой пленке.
Для изучения структурных
особенностей микрокристаллических пленок кремния использовались
различные методы: рентгеновская дифрак-тометрия; просвечивающая
электронная микроскопия; сканирующая туннельная микроскопия;
эллипсометрия; рамановское рассеяние; инфракрасная спектроскопия;
измерение электронного парамагнитного резонанса. В результате установлено,
что пленки ue-Si:H имеют неоднородную структуру и характеризуются
наличием кремниевых микрокристаллитов, аморфного a-Si:H и пор. В
зависимости от условий получения и последующей термообработки
объемная доля кристаллической фазы в пленке Хс может
изменяться от нескольких процентов до величины, близкой к 100 %.
Содержание водорода в ue-Si:H колеблется в пределах 3...15% (ат.).
Микрокристаллиты формируют в пленках колоннообразные кластеры
диаметром З0...100нм, располагающиеся перпендикулярно поверхности
подложки. Внутри микрокристаллитов водород отсутствует. Он в основном
располагается на поверхности кристаллитов, а также в аморфной фазе,
пассивируя оборванные связи. Дефекты типа оборванных связей расположены, в
основном, на поверхности микрокристаллических колонн. Атомы водорода
присутствуют в пленках преимущественно в конфигурации
SiH2. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 101 102 103 104 105 106 107... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
