Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 175 176 177 178 179 180 181... 412 413 414
|
|
|
|
Пленки А1203и AIN наносили на подложки из Si или сапфири с применением микроволнового источника ионов реактивного га:ш и источника пуска составляла величину порядка 10%, уско ряющее напряжение 0,5+2 кВ. Микроволновый ионный источ ник характеризуется очень высокой плотностью плазмы п разрядной камере и высокой эффективностью экстракции ионоп Напряжение на вытягивающем электроде источника достигало 3+15 хС. Пучок ионов (в основном молекулярных) фокусируки с помощью электромагнитных линз и затем замедляют. Энергия ионов снижается при этом до 10-102 эВ. Основным преимущес твом данного способа является низкая температура формировании соединений, что обусловлено высокой кинетической энергией И ионизацией взаимодействующих частиц. Кроме того, данный способ позволяет независимо варьировать в широком интервале параметры кластерного и ионного пучков. Получены пленки A1N и А1203 с высокими термической стабильностью и коррозионной стойкостью. В ряде случаев пленка A1N имеет аморфную структуру. П могут быть получены ионно-лучевым осаждением, т.е. осаждением ионов из пучка, испущенного ионным источником и при необходимости подвергнутого сепарации. Разработан способ формирования алмазоподобного углеродистого П на твердом сплаве WC-Co. П наносят, облучая подложку пучком ионов 12С+ с Е=500 эВ и j=l мА/см2. Скорость осаждения составляет приблизительно 0,3 нм/с. Толщину П варьируют от 5 до 7,5 мкм. Все способы ионно-лучевого модифицирования П можно разделить на две основные группы. К первой относятся способы, заключающиеся в осаждении материала с одновременным облучением растущего П ионным пучком, ко второй способы, в которых ИЛО и процесс осаждения производится последовательно. В некоторых случаях для получения П достаточно лишь одной ИЛО. 3. Осаждение с одновременной бомбардировкой пучком ионов Способ осаждения с одновременной бомбардировкой пучком ионов используется для получения П из Si3N4 осаждением Si и бомбардировкой подложки ионами азота с Е-630 эВ. В настоящее время известно о применении этого метода для нанесения П из нитридов оксидов.,".***"*" \.il-Alt 356 Известно о формировании П Cu-Опри осаждении из пара Си М иЛнучеиии подложки пучком ионов Ц с Е = 100 эВ, причем 1й1им образом можно получить оксиды СиО, Си20, а также Hitm тлбильную фазу Си504. I \ TIN наносят на стальные образцы реактивным осаждением (МНпн TI в атмосфере N2 с одновременным облучением пучков (Billon N2 с Е = 30 кэВ или ионов ТГс Е=40+1°0 кэВ. Полученные Л обличаются от нанесенных способом реактивного испарения Мачитсльно меньшей загрязненностью кислородом (приблизи-tt/iMio в 3 раза) и более высокой плотностью (в 1,5 раза). МтЫфицированные ИЛО П по сравнению с полученными Н"1ноСшми реактивного испарения и распыления обладают также щтшально высокой пластичностью. Следует подчеркнуть, что ндной из причин высокой адгезионной прочности П, модифици-цивйпного TiN, является проведение ИЛО подложки до осаждения. Цврищы облучали пучком ионов N2 (Е = 30 кэВ) или Ti+ (Е=40 "11) с D-1016 ион/см2 с целью очистки их поверхности от цнршнения и активации. Кроме того, данная обработка позволит легировать поверхностный слой стальных образцов азотом И1И титаном. Иииду высокой адгезионной прочности П, полученных осаждением из пара с одновременной бомбардировкой ионным пучком, предложен новый способ металлизации алмазов. Установка для иннессния металлического П на алмазы представляет собой вакуумную камеру, в нижней части которой установлены элек-гронно-лучевой испаритель и источник ионов (газов и металлов). Алмазы размещаются на держателе в верхней части камеры. П формируется при конденсации паров металла с одновременной Ионной бомбардировкой. Высокая адгезионная прочность обусловлена ионнолучевым перемешиванием компонентов П и подложки Ml начальном этапе процесса осаждения. г да ."В •ш .......S-P 35^:
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 175 176 177 178 179 180 181... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
