Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 174 175 176 177 178 179 180... 412 413 414
|
|
|
|
f * Наиболее типичными параметрами установок для импланта ции являются следующие: Е=20-200 кэВ, ионный ток J=0,5-5mA, давление остаточных газов в приемной камере Р~10~4 Па, температура обрабатываемой детали t=20-600°C. На этих установ ках можно обрабатывать детали размером от 10 до 103 мм. Типичная доза облучения D-1017 ион/см2. Разработаны высокоинтенсивные источники, испускающие непрерывные пучки ионов азота с J200 мА при Е=40 кэВ и J400 мА при Е=20 кэВ. В университете шт. Колорадо (США) созданы источники, генерирующие ионные пучки диаметром 100 мм с Е=80 кэВ и 1-50 мА. Плотность тока при обработке может достигать J=l,5 мА/см2. Температура поверхностного слоя облучаемой детали (Опри бомбардировке высокоинтенсивным пучком может резко увеличиваться. При облучении в течение 11 с коррозийно-стойкой стали пучком ионов азота с Е=60 кэВ, J=1,5mA/cm2 возрастает до 450°С, при бомбардировке стали 01 пучком N2+ с, Е=60 кэВ, J=0,7 мА/см2 в течение 5 мин (D= 1,3 ион/см2) t образцов достигала 800°С. При традиционных для ионной имплантации режимах (Е=20-200 кэВ), J=10°-101 мкА/см2, Т=20"С величина Rp-lO^-lO"1 мкм. Анализ экспериментальных данных показывает, что при уМО17-1018 ион/см2 максимальная концентрация имплантированного элемента составляет величину порядка 10°-101 ат.%. С помощью ионно-оптической системы происходит извлечение ионов из плазмы, их ускорение и формирование направленного ионного пучка (луча). Существуют и другие типы ионных источников, в том числе с высокой энергией (Е104 эВ) (3). В общем случае ионно-лучевая установка содержит также масс-сепаратор, позволяющий извлечь из ионного пучка, генерированного источником, ионы определенной массы; линейный ускоритель (для получения ионов с Е50 кэВ); систему сканирования пучка. Наиболее типичными параметрами установок для имплантации являются следующие: Б=20+200 кэВ; ионный ток J=0,5+5 мА; давление остаточных газов в приемной камере Р-10"4 Па; температура обрабатываемой детали Т=20-600"С. На этих установках можно обрабатывать детали размером от 10 до 10 мм. Типичная доза облучения D-1017 ион/см2. 354 2. Схемы (разновидности) процессов Описанные выше установки позволяют проводить ИЛ О до м/ил и после осаждения П. Однако наиболее целесообразно КШмощение процессов осаждения и бомбардировки ионным Пучком в одной установке. Применяются две основные схемы {К'иждения П с одновременным облучением подложки пучком Ионов. Первая схема предусматривает облучение мишени ионным пучком, формируемым источником, распыление ее и осаждение продуктов распыления на подложке с одновременной бомбардировкой ионным пучком, испускаемым вторым ионным источником. Ионные пучки при этом могут иметь разные энергию и Интенсивность, например, первый источник испускает пучок Ионов Аг+ с Е=1,5 кэВ, второй источник пучок ионов 1Ч2+ с г 10+100 эВ. Давление в рабочей камере составляет до осаждения II 610"6 Па, в процессе осаждения 10"4 Па. Предусмотрены изменение угла падения ионов на распыляемую алюминиевую мишень и подложку из сапфира, а также нагрев последней до 7(К)°С. Скорость осаждения П из А1 составляла величину порядка К)"1 нм/с. Вторая схема предполагает размещение источника ионов в рабочей камере установки для получения П методом электронно-лучевого испарения. При облучении электронным пучком происходит испарение материала из испарителя, пар распространяется по направлению к обрабатываемой детали, укрепленной иа подложкодержателе и конденсируется на ней. Одновременно Пучок ионов бомбардирует поверхность растущего П. Давление в камере, необходимое для работы ионного источника обычно составляет 10~3-10~2 Па, что вполне соизмеримо с давлением параметров испаряемого материала при получении П. Подобную установку используют для нанесения на поверхность стали П нитрида титана. В результате откачки в камере создавалось разрежение Р=6,710"5 Па. При осаждении П давление увеличилось до уровня Р=1,3 Ю'М.ЗЮ"1 Па. Получают пленку (пленками называют тонкие П (с толщиной п£1 мкм). В Не кубической структурой испарением и конденсацией паров бора с одновременной бомбардировкой покрываемой детали пучком ионов азота с Е=0,5+5 кэВ. Данный способ позволяет получать пленки с гладкой поверхностью и высокой твердостью. 355
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 174 175 176 177 178 179 180... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
