Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 173 174 175 176 177 178 179... 412 413 414
|
|
|
|
/ раз при обеспечении как минимум равного качества покрытий, хотя имеются физические предпосылки (большой процент иони зации, меньшей процент микрокапельной фазы и др.) дли создания более качественных покрытий. Для ускорения ионов до высоких энергий с целью очистки поверхности покрываемых деталей в результате распылении бомбардирующими ионами между этими деталями и электродами ускорителя с помощью автономного регулируемого источника создается напряжение до 1 кВ. Перед поверхностью конденсации установлен газовый коллектор с отверстиями, обеспечивающий регулируемую подачу реакционных газов для проведения плаз мохимических реакций при формировании покрытия из веществ сложного состава. С помощью холловского торцевого эрозионного плазменной" ускорителя можно получать качественные покрытия как на обрабатывающем инструменте, так и на деталях узлов трения. Холловский с холодными расходуемыми катодами ускоритель был заложен в основу установки "Пуск-87-1", разработанную в НИИТавтопроме. Характерные параметры ускорителя изменяются в диапазонах: -Электрическая мощность N^=1+10 кВт; -Напряжение горения дуги У=20+50 В; -Ток дуги Л=5+600 А; т ~ Плотность ионного тока в струе ^=0,01+0,1 А/см2; "5 Скорость конденсации Ук=0,01+0,1 мкм/с Установка "Пуск-87-1" состоит из следующих основных узлов: 1.Камера 2 шт. 2.Крышка с кассетой 2 шт.§г 3.Ускоритель 2 шт. 4.Система водоохлаждения. 5.Вакуумная система. 6.Система регулировки давления.*с 7.Газовая система. 8.Источники питания. 9.Система автоматики. НПО "НИИтракторосельхозмаш", НПО "ЦНИТА" и заводами топливной аппаратуры выполнены работы по внедрению ионно-плазменной технологии упрочнения плунжеров распределительных топливных насосов НД-21/4 и НД-22/6. Проведены работы по разработке технологии получения износостойких покрытий с нагревом деталей не выше 200°С и в частности с использованием установок типа "Плазменный котел". Решение этой проблемы позволит существенно расширить номенклатуру упрочняемых методом вакуумной ионно-плазменной технологии деталей двигателей, тракторов и с/х машин. 352 2.8. Ионно-лучевое модифицирование поверхности II последние годы резко усилился интерес к ионно-лучевому нотифицированию покрытий (поверхностей) (П), предпола-гвницсму применение ионно-лучевой обработки (ИЛО) покрываемой детали. Бомбардировка пучками ионов поверхности подложки до осаждения П позволяет очистить ее от загрязнений, активировать. Облучение в процессе осаждения или после нанесения П дает возможность целенаправленно изменять его оимический состав, а также структурно-фазовое состояние. Иі пользование высокоэнергетических ионных пучков (Е-ІО^+Ю4 кII) позволяет сформировать в П состояние, не достижимое при других способах получения П., 1. Оборудование Установки ионной имплантации различаются по конструкции и компоновке отдельных систем, по типу применяемых ионных источников и приемных камер, величинам генерируемого ионного Шока, достижимой энергии ионов и дозам вводимой примеси. На Современном этапе сложились три основных типа имплантацион-ных установок: малых и средних доз; больших доз с интенсивными ионными пучками; высокоэнергетических. Установки малых и средних доз характеризуются пучками интенсивностью от единиц до 0,5+0,8 мА. В сильноточных установках больших доз ионный пучок достигает нескольких миллиампер (1-20 тА). Оба типа установок работают в области энергий от 30 до 200 кэВ. В установках третьей группы достигаются энергии 1 МэВ и более. Установка для ионной имплантации, как правило, состоит из ионного источника, масс-сепаратора, системы ускорения, системы сканирования пучка, камеры обработки деталей и вакуумной системы. Представителями отечественного оборудования являются установки для ионного легирования типа "Везувий". В простейшем случае ионно-лучевая установка состоит из ионного источника и приемной камеры, в которой устанавливаются обрабатываемые детали или заготовки. Основными узлами ионного источника являются ионно-оптическая система и разрядная камера, в которой происходит ионизация газообразного рабочего вещества. Последнее может быть получено испарением, сублимацией, распылением и другими способами. Давление рабочего газа в камере обычно составляет 10-2-10 Па. Напряжение между катодом и анодом обычно составляет около 50 В. Ионы, эмиттируемые источником, обычно имеют энергию порядка Ю^-Ю3 эВ с разбросом не более 5-10 эВ. 353
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 173 174 175 176 177 178 179... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
