Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 172 173 174 175 176 177 178... 412 413 414
|
|
|
|
£4. ускоряются в результате приложения к изделиям отрицательного потенциала. При работе ускорителя разряд диффузионно распределен по поверхности анода, и этот электрод не эродирует. Материал, образующий плазменную струю, выходящую из ускорителя через срез анода, испаряется с интегрально холодной и твердой поверхности катода в катодных микропятнах в виде так называемых катодных микроструй. В качестве рабочих веществ используются различные проводящие вещества (металлы, сплавы и т.д.). Выходящая из ускорителя плазменная струя может вступать в плазмохимиче-скую реакцию с рабочим газом и конденсироваться Рис. 2.8. Ход силовых линий магнитного поля в холловском торцевом ускорителе._____^______г__„____ на различных поверхностях с образованием слоев соответст вующих материалов. При работе в режиме генератора (при выключенной магнитной катушке) катодные пятна удерживаются на торцевой рабочей поверхности катода с помощью экрана, охватывающего с зазором боковую поверхность электрода. В катодных микропятнах, число которых пропорционально току и которые хаотически перемещаются по поверхности катода со скоростью от нескольких десятых до единиц метров в секунду, плотность тока составляет 106-107 А/см при величине тока в пятне от единиц до сотен ампер (в зависимости от материала катода). При этом локальная плотность потока мощности в микропятне достигает 107-108 Вт/см2, что обусловливает высокую эффективность генерационных процессов плазмы материала катодов, изготовленных из любых, в том числе тугоплавких, проводящих материалов. В стационарном режиме горения ток мощности в катод должен снижаться принудительным охлаждением, обеспечивающим поддержание достаточно низкой средней по поверхности рабочей температуры электрода. Скорость эрозии (расход) т катода регулируется изменением силы тока т=\и, где коэффициент пропорциональности ц в зависимости от материала составляет 10"4-510"5 г/к. Энергети ц$ская эффективность процесса регенерации в расчете на единицу массы е=.1У/т составляет (1+5) 105 Дж/г, а в расчете на один генерируемый атом А.=/Ута/т 736+775 эВ/атом. Режим плазменного ускорителя реализуется при наложении ни объем ускорителя внешнего аксиально расходящегося магнитного поля (при включении электромагнитной катушки). В таком режиме работает установка ПУСК-87. При воздействии холловского тока с радиальной компонентой магнитного поля Вг появляются эффекты до ускорения плазмы под действием силы Р^Вг, что косвенно подтверждает рост величины Уп, а также прямые измерения средней энергии ускоренных ионов, достигающей значений 100-150 эВ при Ь-30-40 Гс. При холловском ускорении полная величина уско-ршощей силы дается выражением Р=аЛУеТеЛВ,э где а геометрический фактор. С учетом того, что^ V? Т ~ЬВТ 3/2/п4 С ве 'т (Ь коэффициент пропорциональности), т=цТ и принимая п~Л, получим Е.=В4/32, т.е. режим ускорения ионов может регулироваться изменением индукции внешнего магнитного поля. Характерные параметры ускорителя изменяются в диапазонах: электрическая мощность -N^=1+10 кВт. У=20+50 В, Л=50+600 А, В=0-100 Гс, плотность ионного тока в струе УрО,01-0,1 А/см2, энергия ускоренных и конденсирующихся ионов Е=10-500 эВ, скорость конденсации Ук=0,1-0,01 мкм/с. Таким образом, применение холловского торцевого эрозийного плазменного ускорителя позволяет: -сфокусировать плазменный поток; -значительно повысить его ионизацию; -повысить энергию ионов в результате их дополнительного ускорения; -повысить к.п.д. использования массы; -значительно (в 5-10 раз) уменьшить количество микрокапельной фазы (явление автосепарации), ухудшающей качество покрытий; -повысить стабильность горения дуги; -наносить покрытия на диэлектрические подложки без приложения к ним высокочастотного потенциала; -наносить диэлектрические покрытия (например, окись алюминия). В технико-экономическом плане все это позволяет увеличить скорость роста покрытия от 0,1-0,2 мкм/мин до 0,5-1 мкм/мин, что вместе с увеличением количества одновременного покрытия деталей повышает производительность оборудования в десятки 351 350
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 172 173 174 175 176 177 178... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
