Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 161 162 163 164 165 166 167... 412 413 414
|
|
|
|
2.5. Метод ионного осаждения. к п^(ТТ7сТ ОФ°РМЛеНИИ УСТЗНОВКа *** ионного осажде Т50А Рис. 2.4. Схема установки для ионного осаждения. производительность и повышенную энергию осаждаемых частиц. Это обусловлено тем, что испарение металла проводится чаще всего электронным лучом в атмосфере тлеющего разряда, который возбуждается между катодом-подложкой и анодом-испарителем. На подложку подается отрицательный потенциал величиной 1-5 кВ. На стадии предварительной очистки при электрическом разряде в среде аргона на изделие может подаваться отрицательный потенциал до 15 кВ (5). Рабочий газ (аргон) напускают в рабочую камеру до давления 10"3-10"212,3 Па после предварительного вакуумирования установки (10"5-10"612,3 Па). Атомы испаренного металла в плазме ионизируются или возбуждаются, и благодаря высокому отрицательному потенциалу на подложке происходит интенсивная ионная бомбардировка поверхности конденсации в процессе осаждения материала. Повышенное давление улучшает однородность покрытия, создаются условия для нанесения их на затененные участки изделия. Это связано с тем, что при типичном рабочем давлении в условиях ионного осаждения (10"212,3 Па) средняя длина свободного пробега частиц составляет 5 мм. Таким образом, имеет 328 Мрію значительное число столкновений осаждаемых частиц и томов аргона и изменение их траектории. Иысокая прочность сцепления покрытия с подложкой обеспечивается не только за счет предварительной ионной очистки Последней в результате бомбардировки поверхности ионами аргона, Но и за счет внедрения ионов покрытия в подложку на глубину до ЯО А. В сочетании с диффузией и псевдодиффузией ширина Несходного слоя на границе раздела может составлять 1-2 мкм. Постоянное поддерживание отрицательного потенциала на подложке (3-5 кВ) приводит к распылению около 30% осаждаемой) материала. Хотя это снижает производительность, но это • жнобствует получению покрытия высокой плотности, поскольку я первую очередь распыляются атомы, имеющие пониженную снизь с осаждаемым слоем. Для реализации процесса применяются как диодные, так и триодные схемы осаждения (рис. 2.2). И простейшей диодной схеме ионного осаждения между •киовными элементами испарителем и находящейся под отрицательным потенциалом подложкой поддерживается шгющий разряд. Однако из-за сравнительно высокого давления (до 5 10"212,3 Па) в этом случае значительно снижается скорость таждения и степень ионизации первой фазы. Более совершенны системы, обеспечивающие повышенную степень ионизации, с одной стороны, и возможно вести процесс при низком давлении, с другой. Например, эффективно применение в качестве источника испарения пушки с полым катодом или магнетронного источника. Для дополнительной ионизации может использоваться также высокочастотное магнитное поле частотой — 13,56 МГц, позволяющее вести процесс при давлении равном 10"412,3 Па. Один из наиболее простых методов повышения степени ионизации и снижения давления применение положительного мектрода (под потенциалом 200-500 В) для создания триодной системы. Особенно эффективна эта система при электронно-лу-чс(юм испарении, когда вторичные электроны, эмиттированные расплавом, ускоряются в электрическом поле, создаваемом ,'ілектродами.* Для усиления ионизации ионную схему осаждения преобразуют не только в триодную, но и в тетродную, или применяют соленоид для создания продольного магнитного поля. На характеристики разряда влияют также размеры деталей и наличие металлических экранов. Существенно расширяются возможности управления процессом при использовании дополнительных эмиттеров электронов: повышается стабильность процесса за счет уменьшения потенциала, снижается давление и 329
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 161 162 163 164 165 166 167... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
