Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 159 160 161 162 163 164 165... 412 413 414
|
|
|
|
Высокие скорости распыления магнетронных устройств дают существенные преимущества перед методом катодного распыления при получении на стеклах многослойных покрытий с различными декоративными и оптическими эффектами. Многослойные покрытия с использованием реакционного распыления металла позволяют получать фотохромные и элект-рохромные покрытия. Покрытия из латуни и бронзы, полученные магнетронным способом, дают равномерное цветное покрытие без применения окрашенных защитных лаков, а также покрытия из нержавеющей стали, для которых в ряде случаев можно отказаться от защитного лака. При магнетронном методе пленка формируется из атомов распыленного металла и имеет высокий коэффициент отражения, а в случае распыления сплава полностью сохраняется стехиометрический состав исходного материала. Но магнетронные установки сложнее в обслуживании и дороже в изготовлении. Опробовано распыление ряда других материалов, например, бронзы, хрома, оловянно-свинцовых припоев. Применение только одного из изделий с магнетронным титановым покрытием позволяет получить годовой экономический эффект. Изготовлена вакуумная установка для нанесения защитно-декоративных покрытий на штучные изделия с МРЦ 20-65/100 типа УВ-89. 324 !£Ов 2.4. Метод активированного реакционного испарения Метод активированного реакционного испарения (АРИ) (рис. 2.3) является модификацией широко известного метода термического испарения и конденсации в вакууме. Метод позволяет I достаточной производительностью получить тугоплавкие соединения типа карбидов, нитридов, окислов, сульфидов и аналогичных материалов. Рис. 2.3. Схема метода активного реакционного испарения. При реакционном испарении в вакуумную камеру подают дозированное количество газов, таких, как азот, кислород, углеводороды (метан, ацетилен) и др. При этом испаряющиеся атомы металла, взаимодействуя с атомами газа, образуют химические соединения, например: 2Ті+С2Н2-"2ТіС+Н2 С целью полноты протекания реакции применяют различные способы ттивирования или ионизации атомов металла в паровой фазе и лш'. В качестве источника испарения используют в основном тлеоковолътные электронно-лучевые пушки, нагрев которыми сопровождается формированием над поверхностью расплава тон-яоїх) слоя плазмы. С помощью помещенного над расплавом электрода с небольшим положительным потенциалом (50-400 В) низкоэнергетиче-скис вторичные электроны вытягиваются из плазменного слоя и образуют плазменную область между расплавом и электродом. V 325
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 159 160 161 162 163 164 165... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
