Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 154 155 156 157 158 159 160... 412 413 414
|
|
|
|
тттат Ш: Таблица 3.1 г Скорость распыления некоторых материалов при использовании плоского круглого магнетрона 120 мм | Металл Скорость мкм/ыин. кВт Сплавы Скорость мкм/мин. кВт Соединении 1 Скорость I мкм/мин. кВт i Ь_ 0,24 Al-Si 0,24 WC 0,11 Си 0,44 W-Ti 0,12 ТЮ2 0,14 Cr 0,26 Ni-Cr 0,24 Та205 0,21 Ni 0,24 Cu-Ni 0,34 Сг203 0,27 Ti 0,10 Fe-Ni 0,23 TiN 0,05 1 Та 0,12 Cu-Ti-Fe 0,44 InSn02 0,14 1 Мо 0,20 Бронза 0,40 CdSn02 0,21 1 | W 0,12 Латунь 0,40 AI203 Магнетронные системы относятся к низковольтным системам распыления, напряжение питания которых не превышает 1000 К постоянного тока. Рабочее напряжение составляет 300-700 В, на мишень обычно подается отрицательный потенциал, а анод имеет нулевой потенциал. Однако в магнетронах с плоским катодом для более полного улавливания вторичных электронов рекомендуется подавать на анод небольшое положительное смещение (40-50 В). В некоторых системах предусматривается подача 1 отрицательного напряжения смещения на подложку (до 100 В) ' для реализации распыления со смещением. ц Ток разряда зависит от многих факторов, например, от рабочего напряжения, рабочего газа и давления, индукции магнитного поля, конфигурации магнетронной системы, распыляемого материала, и определяется мощностью источника питания. Плотность тока на мишени очень велика и в системах с полым цилиндрическим катодом составляет в среднем 80 мА/см2, с коническим катодом 160 мА/см2, а с плоским катодом 200 мА/см2. Значение удельной мощности в магнетронных системах с полым цилиндрическим катодом 40 Вт/см2, с плоским катодом -100 Вт/см2. Предельно допустимая мощность определяется условиями охлаждения мишени и теплопроводностью распыляемого материала. Магнетронная система может работать в диапазоне давлений от 10"2 до 1 Па и выше. Важнейшими параметрами, во многом определяющими характер разряда в ней, является геометрия и 314 щничина магнитного поля, индукция которого у поверхности ЧИ*шми 0,03-0,1 Т. Дин получения покрытий из диэлектрических материалов Используют высокочастотное (f=l3,56 МГц) магнетронное распыли ИР. Энергия распыленных частиц у подложки составляет величину I" '.() эВ. Величина термического эффекта на подложке в 1 г . чете на одну частицу составляет 10-100 эВ для металлов. || пример, при напылении алюминия со скоростью 2 мкм/мин tiiii 1ф(|х;кт составляет 0,5 Вт/см2. fie; дополнительного ионизирующего устройства низкий поднимал смещения достаточен для получения плотности тока на •"поводящих подложках в пределах от 1 до 10 мА/см2. Д"|я магнетронной схемы плотности потока достигают 1020-I"'' ч/см2. Магнетронная схема позволяет резко повысить ионизацию pHi пиленных атомов до 20% и более. Энергия распыленных я | омои во много раз выше энергии испаренных атомов. Так "•(•одним энергия (Е) атомов меди, испаренных при температуре Ш0"С составляет 0,26 эВ. Средняя энергия атомов меди, (м пиленных ионами криптона с энергией 900 эВ равна 9,25 эВ. ViH'tbiHH энергия распыленных атомов зависит от энергии Ломбирдирующих ионов Eir, свойств распыляемого материала, угла им мета, достигая значений 200 эВ и более. (!уществует большое число разнообразных конструкций маг-цвт|ннов, отличающихся способом создания магнитного поля (в Некоторых случаях его конфигурацией), конструкцией магнитного узла и геометрией мишени. Разработаны три базовых "онструкции магнетрона цилиндрическая (с цилиндрическим к и годом), планарная (с плоским катодом) и так называемая S Чип (с кольцевым конусообразным катодом), которую иногда •читают разновидностью цилиндрической. Для приведенных •иегем характерны плотности тока 60 мА/см2 и достатчно высокая равномерность наносимых покрытий. Энергия, которая при распылении из твердой фазы теряется в виде тепла, можно использовать на дополнительную генерацию потока частиц вещества его испарением, объединив процессы ионного распыления и термического испарения в единый распылительно-испарительный процесс. Кроме высокого использовании энергии, распылительно-испарительная система позволяет достичь высоких скоростей осаждения. Так, при мощности источника питания 1,5 кВт, плотности мощности на мишени 40 Вт/см2, плотности ионного тока 70 мА/см2 и расстоянии между мишенью и подложкой 50 мм скорость осаждения меди 315
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 154 155 156 157 158 159 160... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
