Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 151 152 153 154 155 156 157... 412 413 414
|
|
|
|
По конструктивным признакам разрядного устройства различают следующие типы высокочастотных разрядов: емкостный (Е-разряд), индукционный (Н-разряд) и микроволновый (СВЧ). Перспективными в технике получения покрытий являются многопучковые (многоаппаратурные) ионные источники (источник Кауфмана). В этих конструкциях разряд образуется в однородном продольном магнитном поле, внутри цилиндрического анода, создающего электрическое поле перпендикулярное, в общем случае, линиям магнитного поля. Система позволяет получать большой суммарный ионный ток и однородную плотность ионов в граничном слое плазмы перед эмиссионным электродом. Классификация систем ионного распыления материалов Системы катодного (ионного) распыления С автономным ионным источником С самоподдерживающимся рязрядом постоянного тока С искусственным поддержа нием плазмы разряда Термоэлектронная эмиссия Магнитное поле С самоподдерживающимся ВЧ разрядом Ионные источники различных типов ВЧ поле С Без С Высоко фокуси фокуси полым часто ровкой ровки като тные ионного ионного дом пучка пучка С Дуа раз плаз рядом мат пен роны ниига ка: Основные параметры многоаппаратурного ионного источни -сила тока 50-1000 мА (зависит от диаметра пучка), -плотность ионного тока в пучке 0,5-1,0 мА/см2; -энергия ионов 0,5-2,0 кэВ. Воздействие потока высокоэнергетических частиц на подложку перед и во время осаждения материала покрытия оказывает влияние на прочность сцепления покрытия с подложкой, структуру и плотность покрытия, величину внутренних напряжений. При ионной бомбардировке поверхности подложки происходит ее распыление, образование дефектов в поверхностном слое, нарушение кристаллического строения, изменение морфологии и состава поверхности, поглощение газов, нагрев подложки, образование приповерхностного легированного слоя. Поскольку процесс распыления приводит к удалению поверхностного слоя, то его называют ионной очисткой или ионным травлением. 1. Диодная схема ионного распыления В наиболее простом случае (диодная схема) с низковольтной китушкой и полым катодом система распыления состоит из двух алсктродов, размещенных в вакуумной камере катодного распыления (рис. 2.2, а). Распыляемая мишень помещается на катоде, й на другом электроде устанавливается подложка. Рабочий процесс в такой системе происходит при давлении около 1,3 Па, при этом энергия осаждаемых частиц составляет 2-20 эВ, что обеспечивает хорошую адгезию покрытия. Скорость осаждения покрытий равна 10 мкм/ч. Отличительный признак диодной схемы распыления состоит в том, что в процессе распыления катод является источником распыляемого материала и электронов, поддерживающих разряд. \\ то же время и анод принимает участие в возбуждении разряда, одновременно являясь подложкодержателем. Для образования положительных ионов в разряде обычно используют аргон. Так как процесс распыления происходит при сравнительно большом давлении, ионы инертного газа, как и распыленные атомы, претерпевают множество столкновений между собой и с нейтральными частицами, что вызывает потерю энергии ионов, бомбардирующих катод, и частиц распыленного материала. Это, К свою очередь, приводит к снижению скорости распыления и уменьшению адгезии пленок. Поэтому расстояние между катодом '. и анодом (с укрепленными на нем подложками) по возможности , (Ьлжно быть минимальным. Для получения оптимальных условий распыления подбирают соответствующее соотношение между гремя величинами: расстоянием между катодом и анодом, . приложенным напряжением и давлением газа.% Диодное распыление материалов может осуществляться яв1 газовой среде, взаимодействующей с распыленными частицами и * материалом мишени. Тогда присходит так называемое реакционное распыление, в результате которого получают пленки оксидов, нитридов, карбидов и других химических соединений. Катодное распыление в разряде постоянного тока позволяет Наносить покрытия лишь из электропроводящего материала. 15 Если материал мишени является диэлектриком, то при Постоянном напряжении на электроде мишени распыление быстро прекращается, так как поверхность диэлектрика при ионной бомбардировке приобретает положительный потенциал, после чего отражает практически все положительные ионы. Для того, 309 308
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 151 152 153 154 155 156 157... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
