Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 149 150 151 152 153 154 155... 412 413 414
|
|
|
|
ются в результате адиабатического расширения пара при еп выходе из тигля через сопло. Нагрев тигля производится реэистивным методом либо с использованием дуги низкого давления. Число атомов в кластерах составляет 10 -103. Ионизация их осуществляется электронным пучком, эммитируемым нитью накала. Ионизированные кластеры ускоряются электрическим полем по направлению к подложкам. Электрическое поле создается между подложкодержателем и тиглем. Поскольку сечение ионизации кластеров больше, чем атомов, достигается достаточно высокая степень ионизации. Автоэмиссионный метод нанесения покрытий. Если металлическая проверхность (эммитер) находится под высоким положительным потенциалом относительно расположенной вблизи нее диафрагмы (экстрагирующего электрода), то под действием электрического поля за счет электростатических сил может возникнуть эмиссия положительно заряженных частиц. Обычный метод получения пленок термическим испарением можно легко преобразовать в метод автоэмиссионного распыления. Для этого вблизи испарителя, находящегося под высоким положительным потенциалом, располагается заземленный экстрагирующий электрод. Испарителем может служить либо одновит-ковая или многовитковая спираль, либо тигель, вблизи дна которого располагается вибратор для создания на поверхности расплавленного вещества заостренных выступов. 304 2.3. Нанесение покрытий ионным распылением Для нанесения покрытий можно создавать атомные, молекулярные потоки путем ионного распыления материала в твердом состоянии, не доводя его до расплавления. Метод ионного распыления заключается в бомбардировке ионами газоразрядной плазмы мишени из наносимого материала и осаждений распыленных частиц на поверхность изделий. Системы распыления классифицируют по количеству электродов (диодные, триодные, тетродные, см. таблицу 3.1 и рисунок 2.2), по виду используемого напряжения (постоянное, высокочастотное), по наличию или отсутствию потенциала на подложке (со смещением, без смещения). Явление ионного распыления впервые наблюдалось как разрушение катода в газоразрядных приборах и поэтому было названо катодным распылением. Характерно, что скорости распыления у большинства материалов различаются не более, чем на порядок, в то время как скорости их испарения на несколько порядков. Механизм распыления состоит в том, что в результате внедрения иона в материал, в нем возникает каскад бинарных упругих столкновений смещенных атомов, в котором происходит обмен энергией и импульсами между атомами. Среднее время развития каскада атомных столкновений составляет 210~13 с. Конечным результатом развития каскада становится передача поверхностному атому мишени, изготовленной из материала покрытия, достаточной энергии для преодоления сил связи, что и приводит к распылению. Мишень распыляется в основном по двум механизмам: 1)выбивание частицы (атома) происходит в результате прямой передачи импульса от иона поверхностному атому или атомам мишени, 2)энергия, выделяющаяся в зоне удара, создает условия, сходные с термическим испарением^ материала в вакууме. .4ше ты 305;
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 149 150 151 152 153 154 155... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
