Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 145 146 147 148 149 150 151... 412 413 414
|
|
|
|
с более низким коэффициентом распыления. Если бомбардирующие частицы образуют с атомами соединения, то имеет место химическое распыление, повышающее эффективность физического. Поскольку распыление приводит к удалению поверхностного слоя, его называют ионной очисткой или ионным травлением. В случае использования газов, взаимодействующих с материалом подложки, процесс называют реактивной плазменной очисткой или травлением. Ионная орбработка существенно изменяет топографию поверхности, увеличивая ее шероховатость. Обычно она зависит от дозы ионов, их энергии, угла падения, а также от кристаллографической структуры и содержания примесей. Бомбардировка ионами низкой энергии может привести к насыщению поверхности инертными газами, концентрация которых способна достичь нескольких процентов, что при последующем отжиге вызывает появление блистеринга. При нагреве подложки в процессе ионной обработки происходит дегазация материала. Основная часть энергии ионов переходит в тепловую, вызывая нагрев поверхности подложки. Ее температура определяется массой подложки, термическими свойствами системы, энергией и плотностью бомбардирующих ионов. Повышение энергии взаимодействия конденсирующихся атомов с подложкой ограничивает их подвижность и тем самым увеличивает число зародышей, что способствует формированию непрерывного монослоя на поверхности подложки. Благодаря этому устраняется пористость в формируемом покрытии. Ионная бомбардировка позволяет удалить загрязняющие слои, которые препятствуют диффузионному взаимодействию покрытия с подложкой. Обычно ионная очистка производится при достижении в рабочей камере давления р=(1,33... 6,65)*10"3 Па и подачи отрицательного потенциала на изделие 1,0... 1,2 кВ. Сила ионного тока в цепи подложки зависит от силы тока дуги и составляет 1-2 А. Для получения качественного покрытия большое значение имеет соблюдение требуемых режимов ионной очистки. Дело в том, что эффективное распыление подложки сильно зависит от приложенного к ней напряжения, вакуума и материала наносимого покрытия. В области малых энергий ионов преобладает процесс конденсации; с увеличением энергии возрастает роль распыления. При определенных значениях энергии ионов эти процессы уравновешиваются. Продолжительность и режим ионной бомбардировки выбирают в зависимости от материала и размеров подложки. Для техно 296 чшмчсских приложений особое значение имеет тепловой эффект Ионной бомбардировки, обусловленный тем, что только 5% *)№|гии бомбардирующих ионов расходуется на катодное распы-'№нис, а остальная часть энергии ионов затрачивается на нагрев нмдчожки. При ионной очистке конструкционных материалов с пинкой температурой отпуска необходимо применять минимальную плотность потока мощности на подложку. Снижение мощности возможно уменьшением либо потенциала подложки, либо ионного тока. Уменьшение потенциала подложки снижает эф-фрк тивность ионной бомбардировки (коэффициент распыления ипднст), поэтому реальный путь снижения теплового эффекта в уменьшении средней плотности ионного тока при сохранении приемлемых скоростей распыления. Изменение средней плотности ионного тока возможно путем применения плазмооптических нитрирующих и фокусирующих систем, а также путем периодического (во времени или пространстве) прерывания потока -мряженных частиц. Обычно продолжительность ионной бомбардировки твердосп-'швиого инструмента составляет 3-7 мин. при непрерывном |)ежиме. Для быстрорежущих и конструкционных сталей она иввпа 2-5 мин. при циклическом режиме (рекомендуемый цикл: бомбардировка 2-4 с, пауза 3-5 с). Процесс очистки ионной бомбардировкой, обеспечивая получение высокой адгезии покрытия к подложке, приводит к Ноиышению температуры подложки, что в свою очередь является важным фактором в получении качественных покрытий. Бомбардировка ионами в процессе осаждения приводит в начальный момент к появлению псевдодиффузионной зоны, обеспечивающей хо|юшее сцепление, а в дальнейшем к изменению структуры покрытия. С возрастанием интенсивности ионной бомбардировки уменьшается величина зерна покрытий и преимущественная ориентация изменяется с [111] на [110]. НИИТавтопромом разработан метод очистки в парах испарителя. При этом методе вначале производят очистку в жидком трихлорэтилене, затем в его парах, которые получают в испарителе. Детали подвергают также регенерации. В качестве оборудования* применяют моечный агрегатированный комплекс МАК. Вместимость ванн 80 л, загрузка 20 кг, 1=60...80°С, продолжительность очистки 15-20 мин. Разработана модульная линия очистки. Состоит она из четырех модулей: первый обеспечивает очистку в моечных средствах; второй ополаскивание; третий сушку горячим воздухом; четвертый ополаскивание в органических растворителях (сначала в жидком, затем в его парах)..-м. ? *"!. V 297 п
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 145 146 147 148 149 150 151... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
