Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 144 145 146 147 148 149 150... 412 413 414
|
|
|
|
Сушка является заключительной и важной операцией технологического процесса очистки. Высокая степень очистки обеспечивается ультразвуковым способом, последний также обеспечивает отсутствие любых, в том числе и пассивирующих пленок на поверхности инструмента перед вакуумным ионно-плазменным напылением. Это определило задачу выбора оптимального режима и способа сушки: электротермический в сушильном электрическом шкафу или конвективный в потоке теплого воздуха. Малое время сушки конвективным способом и, как следствие, быстрое удаление влаги с поверхности эффективно противодействует окислению в случае своевременного начала ионной очистки. НИИТавтопромом разработаны полуавтомат для ультразвуковой мойки модели 2865 и технологический процесс очистки инструмента перед напылением. Технологический процесс, внедренный в инструментальном производстве Нижегородского автозавода, включает следующие операции: -ультразвуковую очистку; -1-ую струйную очистку пассивирующим раствором; 6 2-ую струйную очистку пассивирующим раствором; -1" _ промывку в дистиллированной воде; -сушку. Первые четыре операции осуществляются полуавтоматом модели 2865, а пятая (сушка) вручную, оператором. Необходимо сразу же после сушки приступить к ионной очистке инструмента на установке ПУСК. В случае задержки, а также для целей контроля качества ультразвуковой очистки поверхность инструмента протирается белой тканью (желательно батистом), смоченной в спирте. Данные по выбору оптимального способа очистки инструмента приведены в таблице 1.3, из которой видны явные преимущества ультразвуковой очистки (как по качеству, так и по производительности) . Ионная очистка осуществляется путем катодного распыления поверхностного слоя обрабатываемого материала ионами плазмы вакуумной дуги, ускоренными до энергии 0,5-3 кэВ в дебаевском слое, примыкающем к подложке. В процессе ионной бомбардировки поверхность подложки подвергается интенсивному ионному травлению, удаляются окислы, загрязнения, сорбированные газы. Одновременно частицы испаряемого материала катода внедряются в подложку и насыщают тонкий поверхностный слой. При этом "залечиваются" поверхностные дефекты и поры. 294 Таблица 2.2 Результаты экспериментов по выбору оптимального способа очистки Способ очистки Число очищенных образцов Время, затрачиваемое на очистку одного образца, мин Показатель качества, К Число 1 образ1 нов, очищенных с неу довл. качеством в % хорошо удовлетворительно неудовлетворительно Всего образцов 4 щ" к і рохимический 19 20 11 50 10 0,58 22 Уш.трпзвуковой 29 18 3 50 5 0,76 6 Погружением в ванну і механическим побуждением моющего імітпора 16 28 6 50 10 0,50 12 Распыление представляет собой физический процесс, вызванный передачей атомам подложки кинетической энергии бомбардирующей частицы, достаточной, чтобы "выбить" атом подложки. Коэффициент распыления, характеризующий отношение количества распыленных атомов подложки к числу бомбардирующих частиц, зависит от соотношения масс бомбардирующих и распыляемых атомов, энергии бомбардирующих частиц, угла ппдения частиц на подложку, строения поверхности подложки и ее предшествующей обработки. Он возрастает по мере увеличения массы и энергии бомбардирующих ионов вплоть до значений, При которых ион проникает настолько глубоко, что воздействие ни атомы подложки уже не приводит к их отрыву от поверхности. Наибольший коэффициент распыления достигается при бомбардировке под углом 60-70°. В зависимости от угла падения он может меняться в 2 раза. С увеличением дозы ионов (плотности ионного тока) коэффициент распыления возрастает, достигая некоторого равновесного значения. Одновременно увеличивается число дефектов и инородных атомов в поверхностном слое подложки, что ослабляет связь между собой ее атомов и облегчает распыление. При повышении давления остаточных газов скорость распыления снижается, так как часть распыленных атомов в результате столкновения с атомами газа возвращается на подложку. Если подложка состоит из атомов, имеющих различную распыляемость, ионная обработка может привести к образованию "островковой" структуры с характерными конусами из материала 295
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 144 145 146 147 148 149 150... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
