Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 142 143 144 145 146 147 148... 412 413 414
|
|
|
|
Скорость осаждения покрытия (Vu) определяется следующими формулами. Для точечного источника распыления (испарения) Sp " L: V-vpSpcosa tu 4tíL2 ' , Для плоского источника: "v Seos acos 6 :V=-E íu 7tL2 ' где vp скорость распыления (испарения), 5 Sp площадь распыления, 1 L дистанция напыления, * a угол между направлением потока частиц и нормалью к tплоскости напыления, 9 угол между направлением потока частиц и нормалью к ;поверхности распыления (испарения). Из приведенных зависимостей следует, что общими параметрами процесса вакуумного нанесения покрытий являются скорость и площадь распыления, а также направление потока относительно поверхности напыления и дистанция. Применяются системы ионного нанесения покрытий. Системы ионного нанесения покрытий (см. далее схему), в которых генерация наносимого материала в газообразном состоянии осуществляется в результате термического перевода твердого вещества в парообразное, получили название ионно-термических (среди них распространение нашли электронно-лучевые системы и системы нанесения покрытий из плазмы с горячим катодом. Другие системы, в которых генерация потока частиц наносимого вещества производится ионным нанесением (распылением), получили название холодных систем (или систем нанесения покрытий из плазмы с холодным катодом). Такое деление напылительных систем в достаточной мере условно, так как существуют системы, где генерация наносимого вещества осуществляется одновременно по двум рассмотренным механизмам (например, магнетронное распыление из жидкой фазы). ш ж •4"; Ті* 290 Системы ионного нанесения покрытий/"л Способ ионного нанесения покрытий Ионно-термические Г ионизацией Автоэмиссионные -J При испарении электронным лучом При испарении лазарным лучом С ионизацией пара внешним воздействием Электронным ударом Плазменным потоком С ионизацией пара разрядом Тлеющим Несамостоятельным Самостоятельным Дуговым Несамостоятельным Самостоятельным "Холодные" Ионно-лучевое распыление (при сопутствующей ионной бомбардировке растущего покрытия) С тлеющим разрядом (при сопутствующей ионной бомбардировке растущего покрытия) Приложением потенциала смещения на подложку Ионным (плазменным потоком из ионного источника) С тлеющим разрядом в скрещенных НхЕ полях (магнетронные системы) С дуговым разрядом (электродуговое распыление) Стационарный Импульсный Анодной формы Катодной формы С электростатическим ускорением плазмы С холловским ускорение плазмы 291
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 142 143 144 145 146 147 148... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
