Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 1.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 141 142 143 144 145 146 147... 412 413 414
|
|
|
|
ЯР "р. Й'; II' р :*"' Дй В-'. н .. к 0.; К'. !ї ' Т" Д" • л *' *• а." і" ♦і17 |і г|Л де Рис. 2.1. Принципиальная схема систем вакуумного нанесещр покрытий. 288 И тех случаях, когда с поверхностью твердого тела взаимо-цействуют ускоренные ионы, обладающие энергией выше тепло-йнй, будут иметь место различные процессы, которые в значи-иш. пой мере определяются именно кинетической энергией ускоренных ионов. При энергии менее 5 эВ ион либо отражается от облучаемой поверхности, либо переходит в термодинамическое равновесие с иий, п затем десорбируется. В этой области энергий состояние ировипимодействовавшего с поверхностью иона описывается с помощью коэффициента прилипания и передачи импульсов. Иижную роль играет потенциальная энергия поверхностных атомов твердого тела (энергия возбуждения атома или иона), 1йк кик ее значением определяются электронные переходы, мшыншощие эмиссию вторичных электронов или разрыв (вос-Опнонлсние) химических связей, имеющихся на поверхности сорбированных примесей. II том случае, когда энергия ионов превышает энергию связи "томов, возникает такое явление: атомы решетки под действием нмпппющих ионов перемещаются в новые положения, что приводит к поверхностной миграции атомов (перемешиванию) и поверхностным повреждениям решетки твердого тела. При энергиях ионов 12-40 эВ (в зависимости от природы облучаемого материала) превалирующим процессом становится выбивание поверхностных атомов мишени, т.е. распыление мишени. При энергиях ионов выше 100 эВ они начинают внедряться в верхний слой кристаллической решетки мишени, причем структура и ориентация кристаллитов мишени являются важными к торами, определяющими глубину проникновения ионов. По мере увеличения энергии ионов глубина внедрения увеличивается, а поверхностные повреждения кристаллической |"сшетки уступают место объемным. Вследствие этого начинается ионная имплантация, и при энергии ионов, превышающей 5 эВ, она становится доминирующим процессом. Для различных целей используются ионные пучки соответствующих энергий. Так, для очистки и травления поверхности твердого тела необходимы пучки с энергией ионов от нескольких единиц до нескольких сотен электрон-вольт. Для ионно-плазмен-ного распыления и осаждения пленок, а также для нанесения ионных покрытий и имплантации ионов в растущие пленки необходимы пучки с энергией ионов от десятков до тысяч электрон-вольт. Для получения качественных покрытий необходимо гибкое управление процессами вакуумного нанесения покрытий посредством создания оптимальных режимов их протекания. 4 "289
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 141 142 143 144 145 146 147... 412 413 414
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
