Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 2.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 10 11 12 13 14 15 16... 339 340 341
|
|
|
|
1.4. Движение дислокаций. Дислокации перемещаются в решетке кристалла двумя путями: а) путем скольжения и б) путем диффузии. 1. Скользящее движение дислокации Скользящее движение дислокации схематически изображено на рис. 1.13. Исходное положение дислокации плоскость РО. Под действием касательных напряжений происходит незначительная перестановка атомов это указано пунктирной линией, а новое положение дислокации обозначено Р'(£. Рис. 1.13. Схема перемещения атомов при продвижении линейной дислокации на одно межатомное расстояние. РС}исходное положение. Следует отметить, что экстраплоскость Р(2 при этом не переместилась, а передала свои функции по эстафете соседней плоскости РО_. В новом положении дислокация опять находится в равновесном состоянии. Если касательные напряжения будут продолжать действовать, то дислокация будет перемещаться влево указанным методом эстафеты и дойдя до границы кристалла, образует на нем ступеньку высотой в один период решетки в кристалле произошел элементарный (единичный) сдвиг. Легкая подвижность дислокации объясняется следующими обстоятельствами. 26 Благодаря наличию экстраплоскости, атомы решетки немного смещены из центров равновесия, и они стремятся занять положение, соответствующее совершенной решетке: атомы, расположенные впереди дислокации, стремятся вернуться в исходное положение и потому они препятствуют продвижению дислокации: атомы же сдвинутой части кристалла, т.е. , расположенные позади дислокации, стремясь занять положение, соответствующее сдвигу на целый период решетки, будет способствовать продвижению дислокации. Если же воздействие атомов, расположенных впереди и позади дислокации, приблизительно равны, то дислокация может перемещаться при минимальном воздействии напряжений от внешних сил. Движение винтовой дислокации более сложно, чем краевой, но и в этом случае силы взаимодействия атомов в искаженной зоне в значительной степени уравновешиваются, а смещение атомов очень мало. Поэтому критическое напряжение сдвига винтовой дислокации также сравнительно невелико. 2. Диффузионное движение дислокации Диффузионное движение дислокации. Одной из форм теплового движения в кристаллической решетке является перемещение дислоцированных атомов и вакансий. Если к краю экстраплоскости будут присоединяться дислоцированные атомы (или соседние), то экстраплоскость будет расширяться (по всей длине или на отдельных участках). Возможен и обратный процесс от края экстраплоскости и межузлия будут уходить атомы, образуя дислоцированные атомы. К края экстраплоскости в этом случае перемещаются вакансии, экстраплоскость будет сокращаться -краевая дислокация перемещаться вверх (восходящее движение дислокации). Как при расширении, так и при сокращении экстраплоскости линейная дислокация переходит или, как говорят "переползает" из одной плоскости скольжения в другую (выше или нижеследующую). Диффузионное движение дислокации связано с переносом массы и потому оно происходит медленно. Характерным для диффузионного движения является также и то, что оно направлено перпендикулярно к плоскости скольжения и не вызвано действием сдвиговых напряжений. Диффузионное движение наблюдается только у краевых дислокаций. Винтовые дислокации диффузионным способом перемещаться не могут. На основании изложенного можно отметить, что как линейные, так и винтовые дислокации способны двигаться по плоскости 27
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 10 11 12 13 14 15 16... 339 340 341
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
