мер —
Коттрелла и движение дислокаций в двух и более системах при достаточно
значительной степени деформаций прямо доказывается методом
дифракционной электронной микроскопии (см. рис. 27,6).
Итакг-1шсле--стадии
-Одиночиоха .(легкого)-, скольжения в монокристАлде_^начинаехся стадия- множественного скольжения
-£данжение__ дислокаций а двух_и-4олве- системах. По мере
дальнейшей деформации растет число встреч и пересечений дислокаций и
соответственно число барьеров, препятствующих их движению.
Деформация., становится все более неоднородной. На поверхности можно
наблюдать неравномерно распре-Mb*-J&^£?a*£,£i деленные линии скольжения,
вытя-сброса
(Мотт) иутые в разных направлениях.
На-
чинается
формирование «полос» скольжения. Каждая из них представляет собой
пачку линий скольжения, расстояние между которыми, по крайней мере,
на порядок меньше, чем между полосами (см, рнс. 26,в). Длина отдельных
линий скольжения в полосах теперь примерно на два порядка меньше, чем при
легком скольжении. Все это результат возросших трудностей выхода
дислокаций на поверхность из-за «заклинивания» многих возможных плоскостей
скольжения внутри образца различными барьерами.
На стадии
множественного скольжения после значительной деформации
дислокационная структура внутри образца резко усложняется (см. рис.
27,в, г). Плопюсть дислокаций
увеличивается- по сравнению с исходным состоянием на 4—5 порядков,
достигая 10п—1012 _см~2. При такой
плотности отдельные дислокации располагаются так близко одна к
другой, что их трудно различить даже под электронным микроскопом.
Поэтому мы имеем возможность оценить здесь только общий характер
возникающей субструктуры. Две характерные для значительной
низкотемпературной деформации структуры представлены на рис. 27, в,
г; первая соответствует
относительно равномерному, гомогенному распределению дислокаций по сечению
образца, а вторая (более частый случай)—образованию ячеистой
субструктуры, для которой характерно наличие областей (ячеек) с
относительно низкой плотностью дислокаций, ограниченных размытыми
стенками, внутри которых плотность дислокаций очень высока.