образец
так сориентируем относительно направления растяжения, чтобы в одной
из систем скольжения <110;> {111} (например, B1V иа рис. 25,6)
действовали максимальные каса2МЬиые_напряжеиня (ось
растяжения должна лежать внутри стандартного
стереографического треугольника).
Тогда на
начальной стадии пластическая деформация скольжением будет осуществляться
в основном движением дислокаций в одной системе. Эта стадия деформации
называется стадией легкого
скольоюения. На поверхности образца в это вг^мя~^икС1груются~тонкие, длинные
линии скольжения (до 1 мм), параллельные одна другой (рис. 26,а) — следы выхода
дислокаций, скользящих в одной плоскости и одном направлении. Высота
ступеньки 5—10 им. По мере увеличения степени деформации на этой
стадии число лииий_скольжения растет, а расстояние между ними
уменьшается до десятков нанометров. При достаточно совершенной
исходной субструктуре монокристалла дислокации могут перемещаться в
образце относительно беспрепятственно и многие из них доходят до
поверхности. Поэтому плотность дислокаций в образце возрастает
мало: иа один, максимум два порядка. Электронно-микроскопическим
методом на стадии легкого скольжения фиксируют в основном
дислокации, скользящие параллельно одна другой (рис. 27,а), хотя уже иа
этой стадии возможно движение дислокаций в других системах.
Дальией]11ая_деформация
начинает вызывахь-лскривле-ние лйийи_скольженияг на
поверхности появляются характерные «полод^броса», в которых
происходит это искривление (см. рис. 26/5). Считается, что
образование цолос сброса
обусловлено началом интенсивного скольжения в других системах и
поэтому означает конец стадии легкого скольжеиця.
' Одна из
дислокационных моделей полосы сброса показана на рис. 28. Если краевые
дислокации разных знаков, движущиеся в параллельных плоскостях,
останавливаются по каким-либо причинам на некотором расстоянии одна от
другой, образуя скопления, то происходит искривление участка
плоскостей между скоплениями. Отрицательные дислокации искривляют
решетку в одну сторону (вверх на рис. 28), а положительные — в
другую. Наиболее вероятной причиной образования скоплений в__г\ц.
к._кристаллах является возникновение барьеров Ломер—-Коттрелла из-за
начала скольжения дислокаций в других плоскостях {111} и реакций при их
пересечении. Образование барьеров Ло-
