руют,
увеличивается расстояние между ними и снижается эффект
упрочнения.
Выделения,
кристаллографически близкие к матрице, дольше остаются когерентными и не
коагулируют.
В целях
хотя бы частичного предотвращения этого процесса легирующие элементы
выбирают таким образом, чтобы избыточная фаза состояла из медленно
диффундирующих компонентов и не содержала металла-основы. Такие фазы
обычно представляют собой металлические соединения со сложной
решеткой и высокой собственной жаропрочностью.
Максимальной
жаропрочностью отличаются дисперсно-упрочненные материалы, содержащие в
матрице практически не взаимодействующие с ней частицы, например
оксиды, карбиды или бориды.
Понятно,
что затруднение высокотемпературной ползучести должно быть связано с
торможением частицами дислокаций, скользящих и консервативно, и
неконсервативно. При низких напряжениях в диапазоне от напряжения Si
активации дислокационных источников Франка — Рида (Si=Gb/L, где L — длина источника) до
напряжения 5г, необходимого для прохождения дислокаций между
частицами (S2=Gb/l, где / — расстояние* между
частицами), скорость ползучести
(106)где h — размер частиц,
приравниваемый к расстоянию, которое должна пройти дислокация при
переползании; D — коэффициент самодиффузии атомов основного
металла.
При
высоких напряжениях (>S2) дислокации могут обходить частицы,
оставляя вокруг них петли (см. рис. ИЗ). В этом случае скорость ползучести
контролируется скоростью переползания петель около частиц для взаимной
аннигиляции:
(107)Отсюда
следует, что скорость ползучести прямо пропорциональна квадрату
расстояния / между частицами и обратно пропорциональна их линейному
размеру h.
Из
уравнений (106) и (107) видно, что использованные при их выводе модели
дают для напряжения показатель степени п, равный единице и четырем
соответственно, что ниже экспериментальных значений. Это свидетельствует о
несовершенстве принятых моделей, в частности из-за пренебрежения
вкладом диффузионной ползучести. Скорость
