Лазерная и электроннолучевая обработка материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 48 49 50 51 52 53 54... 494 495 496
|
|
|
|
дых частиц и др.), которые повреждают поверхность линзы, рассеивают и ослабляют излучение в фокальной плоскости. Повышения срока службы достигают применением сменных защитных пластин, устанавливаемых перед линзами и объективами, объективов с большими рабочими отрезками, расположением на соответствующем расстоянии от места обработки линз и объективов, удалением факела с паром и частицами обрабатываемого материала с помощью струи газа н другими методами. Выбор локализации перетяжки сфокусированного лазерного пучка. При фокусировке ЛИ (как ТЕМ00, так и многомодового) наблюдается незначительное смещение перетяжки его за фокус фокусирующей линзы или объектива, которое увеличивается до 2-— 3 мм для сильно расходящегося многомодового пучка. Рекомендуется учитывать указанное смещение при создании оптических систем в лазерных технологических установках как дли обеспечения техники безопасности наблюдения обрабатываемого предмета, так и для получения минимального размера пятна сфокусированного пучка в месте обработки. 1.11. Оптические материалы для лазеров на С02 Реализация технологических возможностей лазеров на С02 как импульсного, так и непрерывного действия в ряде случаев ограничивается разрушением оптических материалов. Поэтому их применение в мощных лазерах на С02 обусловлено требовало ниями, главными из которых являются: малый коэффициент поглощения Р для Я = ¡0,6 мкм; высокий предел упругости или прочности на изгиб оизг; высокая теплопроводность; минимальное изменение показателя преломления с изменением температуры; большая теплоемкость; малый коэффициент теплового расширения а; высокие критические температуры материала (плавления, диссоциации и т. п. в зависимости от характерного механизма разрушения каждого кристалла); технологичность оптической обработки, негигроскопичность. В табл. 1.10 приведены значения коэффициента поглощения Р, диаметра ^шах и механической прочности оизг ионных и полупроводниковых кристаллов, используемых в лазерах на С02 В табл. 1.11 приведены технические характеристики многих указанных оптических материалов, а на рис. 1.31 и 1.32 — зависимости пропускания и поглощения ряда материалов для лазеров на С02 от длины волны [3]. Собственное поглощение в ионных кристаллах мало (кроме механически очень прочного ВаР2). Приведенные расчетные значения минимально достижимых потерь значительно меньше, чем в реальных кристаллах, вследствие дополнительного поглощения излучения дефектами н включениями. Рис. 1.31. Зависимость пропускания материалов, применяющихся для лазеров иа С02, от длины волны
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 48 49 50 51 52 53 54... 494 495 496
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
