Лазерная и электроннолучевая обработка материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 445 446 447 448 449 450 451... 494 495 496
|
|
|
|
¡1 7г Рис. 15.9. Принципиальная схема проекционного способа обработки материалов излучением лазера: 1 — лазер; 2 — телескоп; 3 — маска; 4 — проекционная система; 5 — обрабатываемая заготовка ных местах проецируемого рисунка маски. Телескопическая система увеличивает поперечный размер пучка до значений, превышающих размер маски, и одновременно уменьшает плотность энергии до величин, при которых отсутствует ее разрушение. Назначение проекционной системы — создать на поверхности обрабатываемой детали уменьшенное до заданных размеров изображение рисунка маски с сохранением достаточной плотности энергии для выполнения конкретного вида обработки. Наиболее важными параметрами оптической системы проекционного способа обработки являются линейное уменьшение проекционной системы Эп (обусловливает разрешающую способность оптической системы) и линейное увеличение телескопической системы рт (определяет величину одновременно обрабатываемой площади). Рассмотрим подробнее определение указанных параметров, пользуясь результатами работ [10, 20]. Номинальное уменьшение проекционной системы ¡3 = Ои/01 (Ом— размер маски или части рисунка на ней; £! — размер соответствующего изображения). При этом должно выполняться условие РтШРР Минимальное уменьшение Рт1П определяется условием получений необходимой плотности энергии на обрабатываемой детали без разрушения материала маски, т. е ршях = = КЩ/ОгП'Эм и 1п — пороговые значения плотностей энергии соответ р 34 5 ственно разрушения маски и для конкретного вида обработки материала). Максимальное уменьшение проекционной системы ршзх (или минимальное увеличение, обеспечивающее минимальный размер рисунка на образце) ограничивается дифракционными явлениями на ее апертуре и определяется из выражения я__V Рт1и-(£в-£) *тШ-\Г здесь Я — длина волны излучения; ^тт — минимальный размер щели рисунка маски; О0 — диаметр входного зрачка проекционной системы; / — фокусное расстояние проекционного объектива. При выбранном (3 можно определить размер щели маски 1т\п, общий размер маски 1, а также расстояние между маской и оптической системой Получение значительных уменьшений связано с большими увеличениями размеров оптической системы. Получение значительных Р можно достигнуть применением коллективных линз. Полное перекрытие маски потоком излучения обеспечивается значением увеличения телескопической системы рт £/0' (Р' — диаметр потока излучения). Плотность энергии ц должна удовлетворять условию Плотность энергии на обрабатываемом образце и маске *и=#2р2г; Если диаметр пучка излучения на выходе лазера больше размеров маски, то целесообразнее использовать упрощенные оптические системы для
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 445 446 447 448 449 450 451... 494 495 496
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
