Лазерная и электроннолучевая обработка материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 332 333 334 335 336 337 338... 494 495 496
|
|
|
|
цессе эксплуатации лазерного оборудования как по размерам, так и по форме изготовляемых отверстий. Статистическая обработка (с использованием ЭЦВМ) большого числа отверстий в ферритовых пластинах с регистрацией параметров излучения лазера в каждом импульсе с многократными измерениями диаметров отверстий показывает, что отклонение параметров излучения в установившемся режиме работы лазера и отклонения диаметров отверстия от среднего значения подчиняются закону нормального распределения. Факторы второй группы, также влияющие на воспроизводимость результатов размерной обработки, включают в себя различные неточности установки и перемещения деталей в зоне воздействия излучения лазера. Так, например, если перемещать деталь, то несовпадение нормали к поверхности детали с оптической осью фокусирующей системы при получении серии отверстий приведет к непрерывно увеличивающемуся расфокусированию излучения, что и обусловит закономерное изменение диаметра и продольной формы отверстий. Влияние этих факторов практически может быть сведено к минимуму. Неоднородность свойств и структура обрабатываемого материала связаны с факторами третьей группы, влияющими на воспроизводимость результатов размерной обработки. Влияние этих факторов существенно в случаях, когда диаметры отверстий соизмеримы с размерами иеоднородностей, а также если их число велико. 9.6. Многоимпульсный метод обработки отверстий При многоимпульсной обработке (МИО) отверстий лунка растет в глубину постепенно в результате послойного испарения материала каждым импульсом. При этом окончательная глубина отверстия определяется суммарной энергией серии импульсов. В то же время диаметр отверстия определяется усредненными параметрами отдельного импульса излучения в серии; кроме того, он зависит от диаметра пучка лазерного излучения в зоне обработки и формы каустики. Толщина снимаемого каждым импульсом слоя может быть весьма малой, поэтому при обработке сравнительно глубоких отверстий (—1 мм и более) процессы истечения и перераспределения жидкой фазы в меньшей степени влияют на форму отверстий, чем в случае получения отверстия одним импульсом. Однако от них зависит микрогеометрия поверхности; уменьшение толщины слоя, снимаемого одним импульсом, позволяет достичь меньшей шероховатости. Важная особенность МИО состоит в возможности получения отверстий серией коротких импульсов, период частоты повторения которых значительно больше времени остывания материала. В этом случае характерный размер зоны термического влияния определяется длительностью отдельного короткого импульса. В сочетании с высокой плотностью энергии, которой легко добиться в каждом импульсе, это способствует резкому снижению расплава в продуктах разрушения. Использование для' МИО короткого импульса позволяет получать отверстия в хрупких материалах без их растрескивания, что обусловлено более равномерным (по отношению к од-ноимпульсной обработке) распределением остаточных напряжений по толщине материала, а также ростом динамической прочности при уменьшении продолжительности термического удара. Когда глубина лунки растет, то интенсивность излучения на дне лунки изменяется из-за расфокусирования луча. Чтобы избежать этого, необходимо смещать деталь относительно луча на толщину материала, испаренного каждым предыдущим импульсом. Если к точности размеров отверстия не предъявляются жесткие требования, то движущуюся границу испарения можно совмещать с фокальной плоскостью оптической системы. Значительно более точные отверстия заданной поперечной формы (круглые или профильные) получаются при совмещении плоскости изображения проецируемой диафрагмы с границей испарения, при этом распре
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 332 333 334 335 336 337 338... 494 495 496
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
