Лазерная и электроннолучевая обработка материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 98 99 100 101 102 103 104... 494 495 496
|
|
|
|
нагрева описывается той же закономерностью, как и распределение плотности потока источника теплоты на поверхности тела. Это может быть использовано для нахождения радиального распределения ц (г) при действии ЛИ на материалы, претерпевающие фазовые переходы в твердом состоянии, а также для оценки коэффициента поглощения ЛИ [5], Другой предельный случай, который следует из соотношения (3.83), соответствует большим значениям времени (Ро—"оо). Для непрерывно действующего источника теплоты максимальная температура в точке (0, 0, оо) Ах С ехр (—и*)йи Ах С л 2(5 ) и (3.86) Из формулы (3.86) следует, что максимальная температура определяется двумя безразмерными параметрами ^1 и 7 (поскольку Р — число). Отсюда вытекает, что "близость" объемного источника теплоты к поверхностному определяется не отдельно взятым значением коэффициента поглощения, а произведением его на радиус фокального пятна. Аналогично степень приближения источника теплоты к точечному зависит не только от радиуса пятна нагрева г/, но и от коэффициента поглощения вещества. Это доказывает зависимость 9т от параметра у (рис. 3.22). Для у 15 источник теплоты можно считать практически поверхностным. Дли металлов при 05 я) 10* см-1 радиус пятна нагрева на 15 мкм, при превышении которого источник теплоты является поверхностным. Для коротких импульсов гг, при котором источник является поверхностным, зависит от Ио, т. е. от длительности импульса. Для полупроводников и диэлектриков в зависимости от у источник теплоты можно рассматривать и как объемный, и как поверхностный. Например, для кремния в области длин волн ЛИ около 1,2 мкм коэффициент поглощения ос" 1 см"1, и в практических случаях (г_г " 0,1 см) источник теплоты является объемным. Рис. 3.22. Зависимость температуры в центре пятиа иагрева от параметра v =*уа Для полупроводников это справедливо только для относительно небольших температур, не вызывающих существенного увеличения коэффициента поглощения ОС. Оценки показывают, что даже для металлов, где _ос весьма велик (ос " 10М-105 см 1), источник теплоты нельзя рассматривать как точечный по крайней мере в пределах радиуса пятна нагрева Учет поверхностной теплоотдачи. Рассмотрим те случаи, для которых необходимо учитывать теплоотдачу с нагреваемой поверхности, обусловленную радиационными н конвективными теплопотерями. В общем случае эта задача является нелинейной из-за граничного условия, в котором тепловой поток с поверхности тела пропорционален Т4. Для оценок достаточно ограничиться линейным приближением, считая радиационную составляющую коэффициента теплообмена пропорциональной Т. Тогда граничное условие на поверхности полубесконечного тела запишем в виде г = 0; —Я, дТУдг + а1Т1 = = ехр (-*/") X 0. (3.87) где ос! — коэффициент поверхностной теплоотдачи; X (0 — функция ,
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 98 99 100 101 102 103 104... 494 495 496
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
