Справочник по конструкционным материалам
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 545 546 547 548 549 550 551... 642 643 644
|
|
|
|
Марка стекла х10* -3 м м2о3, %(мас.) У,т/м3, при20°С ГПа Коэффициент Пуассона НУ0,1 НУ0,1 НУ0,1ГЖМ а107,°С-: при20-180°С с, Дж/(кг0О Вт/(м°С) при 50 °С ГЛС-10 2,34 — 2,88 62,7 0,270 126 490 0,60 ГЛС-14 4,56 2,71 71,0 0,230 0,8 108 ГЛС-21 1,40 1,11 3,52 55,7 0,280 320 0,2 106 575 0,43 ГЛС-22 2,00 1,63 3,52 55,7 0,280 360 0,2 106 575 0,43 ГЛС-23 3,60 2,90 3,52 55,7 0,280 0,2 106 575 0,43 ГЛС-24 5,70 4,60 3,52 55,7 0,280 0,2 106 575 0,43 Основные характеристики твердотельных лазеров регламентированы ГОСТ 19319-82. К полупроводниковым относятся лазеры, в которых используются оптические переходы с участием свободных носителей тока в кристаллах. По способу накачки полупроводниковые лазеры делятся на инжекционные, с оптической накачкой, с накачкой пучком быстрых электронов и с накачкой пробоем в электрическом поле. Классификация и условные обозначения материалов, используемых в полупроводниковых лазерах, определены ОСТ 11.397.831-83. Наиболее широко в полупроводниковых лазерах применяют арсенид галлия, а наибольшая доля серийного выпуска приходится на инжекционные лазеры на основе лазерных гетероструктур ОаА^б/ОаАБ и 1пСаА$Р/1пР. Основные характеристики полупроводниковых лазеров определены ГОСТ 17490-77. Для широкого практического применения лазеров и лазерных систем с требуемыми характеристиками и перестраиваемой частотой излучения большое значение имеют материалы, позволяющие управлять лазерным излучением. В качестве материалов для призм в дальней ультрафиолетовой области используют фтористый барий ВаР2, флюорит СаР2, фтористый литий и др. ; в ближней ультрафиолетовой области чаще всего применяют кристаллический кварц; в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах различные флинты, рутил ТЮ2, титанат стронция 8гТЮ3; в инфракрасной области (К 2...3 мкм) диэлектрические и полупроводниковые кристаллы 1лР, СаР2, ВаР2, йе, 81 и др. Для управления лазерным излучением широко используют кристаллы, обладающие электрооптическим эффектом, т. е. изменением поляризационных констант и соответственно показателей преломления под воздействием электрического поля, и оптическими нелинейными свойствами. Это кристаллы, кристаллическая решетка которых не имеет центра симметрии. Наибольшее распространение для управления лазерным излучением получили кристаллы дигидрофосфата калия КН2Р04 (ОСТ 11.397.831 -83) и его аналоги: дигидрофосфат аммония ЫН4Н2Р04, дидейтерофосфат калия К2Р04, дигидрофосфат рубидия ШН2Р04 и ряд других. Кристаллы дигидрофосфата калия выращивают в виде блоков. Изделия из этих кристаллов в виде прямоугольных призм, каждый из размеров которых может изменяться от 1 до 150 мм, применяют для изготовления электрооптических затворов и устройств сканирования луча на поперечном и продольном электрооптическом эффекте.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 545 546 547 548 549 550 551... 642 643 644
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
