Справочник по конструкционным материалам
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 505 506 507 508 509 510 511... 642 643 644
|
|
|
|
Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей, выпускают в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского, длина и диаметр слитков не менее 20 мм; плотность дислокаций рде £ 10 м~ [15]. Нелегированный и легированный кремнием антимонид галлия имеет дырочный тип проводимости, а легированный теллуром электронный. Основные электрофизические свойства антимонида галлия приведены ниже: Марка....................... ГСДГСДКГСЭТ Ориентация оси .................[211], [111][111][211] КонцентрацияNom-10"24 при-196°С, м"3. .. .£0,03£10,3-1,5 Подвижность ОНЗ, м2/(Вс), не менее......0,2000,0150,300 Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей выпускают в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Бриджмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), а также в виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского. При -196 °С в образцах поликристаллического арсенида индия #0нз £ 5 • 1022 м-3. Концентрации ОНЗ для различных марок монокристаллического арсенида индия приведены в табл. 7.40. Таблица 7.40. Концентрация основных носителей заряда в монокристаллических слитках арсенида индия при -196 °С Марка 1Л-24 -3 Л^онз10 "м Марка XT 1Л"24 "3 Nom\0 , м ИМЭ £0,03 ИМЭТ-2 0,9-2 ИМЭО-1 0,05-0,9 ИМЭТ-3 1-5 ИМЭО-2 0,9-2 ИМДЦ-1 0,01-0,05 ИМЭО-3 1-5 ИМДЦ-2 0,05-0,1 ИМЭО-4 £5 ИМДЦ-3 0,1-1 ИМЭО-5 0,7-2 ИМДЦ-4 1-80 ИМЭТ-1 0,05-0,9 ИМДМ 0,01-0,07 В зависимости от плотности дислокации выделяют четыре группы марок арсенида индия: 1) рдис £ 5-10? м"2; 2) рдас = 7-10? м"2; 3) рдас = 1 • 108 м"2 и 4) рдас не лимитирована. Диаметр слитков может изменяться от 25 до 80 мм. Чем больше допустимая плотность дислокаций, тем большего диаметра могут быть получены слитки. Ориентация продольной оси монокристаллических слитков арсенида индия [111]; отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°. Ниже приведены значения коэффициента пропускания, равного отношению прошедшего светового потока Ф^, к падающему Фпад при толщине образца 3± 0,1 мм: Длина волны, мкм.......... 3,4 4,3 4,7 5,3 Ф„0/Ф„ад............... 00,4 0,42 0,4
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 505 506 507 508 509 510 511... 642 643 644
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
