Справочник по конструкционным материалам
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 503 504 505 506 507 508 509... 642 643 644
|
|
|
|
Монокристаллический германий, легированный фосфором, имеет электронный тип проводимости и предназначен для производства подложек эпитаксиальных структур (марка ГЭФ-0,001) и полупроводниковых приборов (марка ГЭФ-0,005) [15]. Монокристаллические слитки германия марок ГЭФ-0,001 и ГЭФ-0,005 имеют диаметр 20 и 25 мм, длину не менее 50 и 25 мм и рн не более 0,000012 и 0,00005 Ом-м соответственно; ориентацию продольной оси монокристаллических слитков [111]; отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°; плотность дислокаций рдис £ 310? м"2 для марки ГЭФ-0,001 и £ 5-10* м"2 для ГЭФ-0,005. Сложные полупроводники типа AHIBV используют для изготовления диодов, транзисторов, приборов СВЧ на основе эффекта Гана, модуляторов инфракрасного излучения, приемников излучения, солнечных батарей, лазеров, датчиков Холла, магнито-резисторов и др. В табл. 7.36 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсени-дов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа T^-F43m). Сложные полупроводники типа AUIBV промышленно выпускают в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок используют буквенно-цифровые обозначения. Первые две буквы обозначают собственно полупроводник: АГ арсенид галлия, ФГ фосфид галлия, ГС антимонид галлия, ИМ арсенид индия, ФИ фосфид индия, ИС антимонид индия. Далее добавляется буква, обозначающая тип проводимости: Э электронный, Д дырочный. Для арсенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч -для слитков, полученных по методу Чохральского, и буква, обозначающая легирующую примесь: Т теллур, О олово, Ц цинк, Г германий, К кремний, X хром, М -марганец. После набора прописных букв идут цифры и строчные буквы, характеризующие различные параметры материала. Расшифровка значений марок дана в соответст Арсенид галлия применяют для производства электронных приборов и эпитаксиальных структур [15]. Выпускают его как в виде поликристаллических слитков (марка АГН-1), так и в виде монокристаллических слитков (остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком, имеют дырочный тип проводимости, остальные электронный. Слитки арсенида галлия различных марок отличаются концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым отклонением (10-80 %) этой концентрации (табл. 7.37) от ее номинального значения, номинальным значением вующих технических условиях. Таблица 7.37. Концентрация ОНЗ в слитках арсенида галлия Марка AsGa ^онз10"24. м 3 АГЧ £0,01 АГН-1 £0,02 АГН-2 £0,02 АГЧТ-1 0,05-4 АГЧТ-2 0,05-8 АГЧТ-3 4-10 АГНК 0,9-3,5 АГЧО-1 0,015-2,5 АГЧО-2 0,1-4 АГЧО-3 2,5-5 АГЧЦ-1 0,15-20 АГЧЦ-2 20-65 АГЧЦ-3 65-90 АГЧЦ-4 90-120
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 503 504 505 506 507 508 509... 642 643 644
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
