Справочник по конструкционным материалам
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 496 497 498 499 500 501 502... 642 643 644
|
|
|
|
Свойство 81 Се Ширина запрещенной зоны, эВ: при-213 °С 1,21 0,78 при 25 °С 1,12 0,75 Подвижность при 27 °С, м /(В с): электронов дырок (1350±100)10~4 (480±15)-10"4 3800-10"4 1800 10"4 Эффективная масса дырок: тяжелых 0,5т0 0,379т0 легких 0,16т0 0,042т0 Диэлектрическая проницаемость статическая 12,5 16 Магнитная восприимчивость -0,131 о"4 -0,12-10"6 * Для 81 в направлении [111], для Се в [110]. Для изготовления разнообразных приборов требуются полупроводниковые материалы с различными свойствами. Ниже при описании марок полупроводниковых материалов, выпускаемых промышленностью, после характеристик монокристаллических слитков в скобках приводится условное обозначение характеристики. Для каждого типа полупроводникового материала установлены и контролируются показатели качества, определенные ГОСТ 4.64-80. Группы и подгруппы марок материала имеют различный набор численных значений показателей качества. Слитки монокристаллического кремния (ТУ 48-4-295-82), предназначенные для производства полупроводниковых приборов и микросхем, получают методом Чохраль-ского (К) с ориентацией продольной оси монокристаллического слитка [111], [100] или [013] диаметром 42** ... 102,5** мм и базовой длиной 60-150 мм или бестигельной зонной плавкой (БК) с ориентацией [111] диаметром 23-46 мм и длиной 40-70 мм. Отклонение а плоскости торцового среза слитка кремния от плоскости ориентации не должно превышать 3°. Концентрация атомов оптически активного кислорода должна быть 1 • 1023 м~3 в слитках кремния, полученных бестигельной зонной плавкой, и ^ 7 1023м"3 в слитках, полученных методом Чохральского. Слитки монокристаллического кремния, легированные бором (Б) или алюминием (А), изготовляют дырочного (Д) типа электрической проводимости, а легированные фосфором (Ф), сурьмой (С) или мышьяком (М), а также фосфором и золотом (ФЗ) -электронного типа. Технические требования на слитки могут быть уточнены или изменены по согласованию между изготовителем и потребителем. Пример условного обозначения слитков: 1А1 кц КДБ 7,5/2,5-76 ТУ 48-4-295-82, где 1А1 группа и подгруппа марки; кц индексы дополнительных требований; КДБ -монокристаллический слиток кремния, выращенный по методу Чохральского, дырочного типа электрической проводимости, легированный бором; 7,5 номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом*см; 2,5 время жизни неравновесных носителей заряда, мкс; 76 диаметр, мм.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 496 497 498 499 500 501 502... 642 643 644
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
