Ультразвуковой контроль материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 202 203 204 205 206 207 208... 670 671 672
|
|
|
|
Рис. 10.12. Принципиальная! схема излучателя (передатчика) ультразвуковых импульсов: / — электронный переключатель: 2 — искатель ные трубки (тиратроны, рис. 10.14, а). В настоящее время применяли управляемые выпрямители (тиристоры, рис. 10.14, б), а в самые последние годы полевые транзисторы (УМОЙ, а 1 / \ v ІШІШ б — ІІНІІІІІ ІІІІІПІІ ш4 Рис. 10.13. Импульс", посылаемый тнристорным излучателем (передатчиком): а — с искателем; 6 — без-искателя при нагрузке 100 Ом рис. 10.14, в). Для возбуждения сверхвысокочастотных колебательных элементов (до 100 МГц) часто применяются лавинные-транзисторы (рис. 10.14, г), в которых используется лавино М7 _Л Рис. 10.14. Схемы для формирования посылаемого импульса образный пробой полупроводникового слоя, когда кратковременно превышается напряжение пробоя запирающего слоя. Такой пробой происходит настолько быстро, что время включения излучателя практически определяется только индуктивиос-тями и емкостями остальной схемы.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 202 203 204 205 206 207 208... 670 671 672
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
