Ультразвуковой контроль материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 151 152 153 154 155 156 157... 670 671 672
|
|
|
|
5= 1,75 (рис. 7.8, б). Это справедливо не только для пластины при частоте I МГц: коэффициент затухания, согласно выражению (7.10), не зависит от резонансной частоты. Если же кварцевая пластина, наклеенная на эбонит, будет излучать не в воду, а в алюминий (22= 16,9-106 Н-с/м3), то резонансная частота пластины будет вдвое меньшей. Для лучшего сопоставления рис. 7.8 и 7.9 представлены так, как будто бы для этого опыта была принята пластина вдвое меньшей толщины. Коэффициент затухания здесь должен рассчитываться по формуле (7.11); он равен 6=730, т. е. пластина демпфирована в этом случае уже почти апериодически, так как амплитуда второго колебания составляет лишь 77зо амплитуды первого колебания, а третье колебание имеет амплитуду в 7302 = = 533 000 раз меньше. На практике следует иметь в виду, что тонкий слой клея (замазки) между кристаллом и алюминием снижает истинное звуковое сопротивление вещества, так что при эксперименте получаются всегда меньшие значения затухания. На практике условия акустического контакта искателя сильно колеблются в зависимости от чистоты и формы поверхности и от материала контролируемого образца; следовательно, варьируется и демпфирование. Для снижения слишком сильных колебаний демпфер, наклеиваемый с задней стороны, можно заранее выполнить с большим звуковым сопротивлением (сопротивление демпфера не изменяется). Однако это приведет к снижению чувствительности, потому что амплитуда колебаний, а следовательно, н амплитуда излучаемого звука, снижается по мере увеличения коэффициента демпфирования. Ранее рассматривалось только основное колебание пьезоэлектрически возбужденной пластины. Теперь следует рассмотреть также и верхние гармонические колебания, представив себе, что пластина с обеих сторон тоже граничит с акустически более мягкими веществами. Можно видеть, что пьезоэлектрически могут возбуждаться только нечетные высшие гармоники, так что после основного резонанса при частоте /у следующий резонанс будет наблюдаться при частоте З/у, 5/г и т. д. Поэтому рис. 7.9 на стороне более высоких частот (справа) следует дополнить этими дальнейшими пиками резонанса. Значения их коэффициента затухания увеличиваются пропорционально номеру высшей гармоники. Поэтому амплитуда излученной звуковой волны уменьшается при том же возбуждающем напряжении в той же степени. Однако даже если резонансную кривую по рис. 7.9 дополнить резонансными пиками от верхних гармоник, она все же будет отличаться от измеренных, кривых, поскольку применяемая на практике пьезопластина имеет и другие точки резонанса, которые обусловлены другими деформациями, связанными с колебаниями по толщине. Здесь они не учитывались. Для контроля материалов амплитуда колебаний пьезопла-стины представляет меньший интерес, чем звуковое давление излучаемой звуковой волны. Звуковое давление пропорционально амплитуде колебаний и частоте, так что резонансная кривая при частоте 0 начинается не с некоторого конечного значения, как:на рис. 7.9, а с нуля. Кроме того, резонансный пикраспо--лагается симметрично к своей резонансной частоте! Только в
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 151 152 153 154 155 156 157... 670 671 672
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
