Сварка, резка, наплавка, пайка, нанесение покрытий. Технология, материалы, оборудование. Каталог. Весна-лето 2005
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 117 118 119 120 121 122 123... 253 254 255
|
|
|
|
В последнее время появились задачи, решить которые с применением таких монокристаллов, уже невозможно. Это потребность в мишенях диаметром не менее 60 мм для напыления в электронике, анодах для мощных рентгеновских трубок, зеркалах для промышленных лазеров, лодочках и контейнерах для выращивания крупных монокристаллов оксидов и солей, а также в широкоформатном монокристаллическом прокате. Появление новых высоких технологий повышает интерес к получению кристаллов, более крупных, чем выпускаются промышленностью. Монокристаллы тугоплавких металлов являются продукцией высоких технологий, и большинство программ в космической ядерной энергетике и аэрокосмической авиации в целом зависят от достижений в науке и разработке высокотемпературных материалов. Проблема выращивания крупных монокристаллов тугоплавких металлов в течение ряда лет казалась неразрешимой из-за их высокой температуры плавления. Предложенный и разработанный в Институте электросварки им. Е. О. Патона метод плазмен-но-индукционного зонного выращивания монокристаллов позволил принципиально решить эту проблему. Уникальность этого метода заключается в том, что для него практически не существует каких-либо ограничений как по размерам, так и по профилю поперечного сечения (круг, квадрат, пластина, труба и т. д.). Схема установки для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов: 1 — плазматрон; 2 — пруток; 3 — монокристалл; 5 — поддон; 6 — механизм подачи прутков; 7 — капля металла; 8 — металличесая ванна УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ И НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ СПИННИНГОВАНИЯ В ИЭС им. Е. О. Патона разработана технология и оборудование для получения аморфных и нанокристаллических материалов с использованием плазменно-дугового источника плавления металла. В основу технологической схемы установки заложен принцип плазменно-дуговой гарнисажной плавки, обеспечивающий выплавку качественных сплавов в широком диапазоне химического состава. Установка состоит из плавильной камеры 1, оснащенной смотровой системой и технологическим люком. В нижней части камеры размещен медный водоохлаждаемый гарнисажный тигель 2, по оси которого установлено сопло 3 из огнеупорного материала. Плавильная камера монтируется на колонне 6, оснащенной механизмом 8 перемещения камеры. В верхней части плавильной камеры устанавлен плазматрон ПД-110 9, снабженный механизмом перемещения 10. На основании 5, которое отделено от колонны 6, размещен барабан-холодильник 4 с механизмом вращения и перемещения. Для установления заданной величины зазора между срезом сопла 3 и поверхностью барабана-холодильника 4 камера снабжена механизмами тонкой настройки 7. Установка имеет систему газоснабжения, ресивер 12, вакуумную систему и насос ВН-461 11 . Схема установки ОП-133 110 2005
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 117 118 119 120 121 122 123... 253 254 255
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |