Многоэлектродные машины для контактной сварки
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 91 92 93 94 95 96 97... 258 259 260
|
|
|
|
Интегральные микросхемы серии К511 изготовлены по пла-нарно-эпнтокснальной технологии с изоляцией элементов р-п-переходамн. Основной логический элемент, схема которого приведена на рис. 6.7, реализует функцию И—НЕ (для положительной логики)— функцию ИЛИ—НЕ (для отрицательной логики). Для Таблица 6.7 Условное обозначение Функциональное назначение ''потр' и Вт К511ЛА1 К511ЛА2 Четыре логических элемента 2И—НЕ Три логических элемента ЗИ—НЕ 330 248 25 К511ЛАЗ К511ЛА4 Два логических элемента 4И—НЕ с пассивным выходом и расширением по И Два логических элемента 4И—НЕ с расширением по И 165 10 25 К511ЛА5 К511ЛИ1 Четыре Логических элемента 2И—НЕ с пассивным выходом Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом 330 173 10 200 К511ПУ1 К511ПУ2 К5ПТВ1 К51ШЕ1 Преобразователь высокого уровня в низкий: два логических элемента 2И—НЕ и диалогических элемента НЕ с расширением по И Преобразование низкого уровня в высокий: два логических элемента 2И—НЕ и два логических элемента НЕ с расширением по И Два JK-триггера Двоично-десятичный счетчик 280 248 578 594 25 К511ИД1 Дешифратор преобразования двоично-десятичного кода в десятичный 495 — Примечание. Я„отр — потребляемая мощность; /Сразв — коэффициент разветвления, т. е. допустимое число входов микросхем, подключаемых к выходу данной микросхемы. полного описания работы логического элемента схема разбивается на четыре части и каждая из них рассматривается в отдельности. Часть I представляет собой логические вентильные входы, реализующие схему И. Входы выполнены на транзисторах V1E—V4E типа р-п-р и осуществляют дополнительную функцию усиления по току. Часть П состоит из транзистора V5E, резисторов R1, R2 и диода VI. Они образуют буферный усилитель. Диод VI предназначен для ускорения рассасывания заряда в точке А, напря 95
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 91 92 93 94 95 96 97... 258 259 260
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
