Значение допустимого обратного напряжения (У&Доп приводится в технических данных вентиля. Она нормируется с определенным запасом по отношению к пробивному напряжению {У&Проб- Масштабы для прямого и обратного токов на рис. 3.3 различны.

На основе изучения свойств полупроводникового вентиля можно утверждать, что если в цепь, содержащую линейный резистор 7?я, включить полупроводниковый вентиль V (рис. 3.4, а), то цепь становится нелинейной, обладает односторонней проводимостью и пропускает прямой ток '¿=¿0 лишь в случае, если к аноду — слою р вентиля — подведен положительный потенциал по отношению к катоду— слою п вентиля. Если напряжение и си- ФЛ

нусоидальное, то пря: мой синусоидальный

ТОК 1а будет ИДТИ ПО

цепи лишь в проводящую часть периода (рис. 3.4, б). В непроводящую часть периода по цепи будет течь незначительный обратный ток г'0. Начало протекания прямого тока 1а называется моментом открытия вентиля (включения в работу), окончание протекания (выключения). Цепь, по

Рис. 3.4. Иллюстрация к процессам, происходящим в полупроводниковом вентиле: а —схема выпрямления; б — графики изменения I и и во времени

прямого тока — моментом его закрытия ^выплшчсппл^. д. которой идут прямой и обратный токи,

называется силовой цепью вентиля. Рассмотренный вентиль является полупроводниковым диодом. Полупроводниковые вентили могут быть управляемыми. В этом случае кроме двух силовых электродов вентиль имеет третий электрод УЭ, являющийся управляющим (рис. 3.5, а). Такие полупроводниковые приборы называют тиристорами.

Тиристоры могут быть полууправляемыми (однооперационны-ми) и полностью управляемыми (двухоперационными). В настоящем пособии рассматриваются только однооперационные и схемы на их основе. На рис. 3.5, б приведен график изменения прямого тока однооперационного тиристора.

Для того чтобы управляемый вентиль открылся, на его аноде должен быть положительный потенциал относительно катода. Тогда тиристор можно открыть (включить) в любой момент проводящей части периода, подав на управляющий электрод положительный потенциал от системы управления (рис. 3.5, в). Тиристор запирается автоматически при спаде прямого тока в силовой цепи до нуля.

Кремниевый тиристор выполняется иа основе четырехслойного кристалла кремния со слоями РгПррг-иг.

Вольт-амперная характеристика тиристора приведена на рис. 3.6. Включение осуществляется подачей положительного потенциа-