Технология металлов и материаловедение
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 44 45 46 47 48 49 50... 398 399 400
|
|
|
|
Рис. 39. Краевая дислокация, возникающая в результате сдвига часть ее — участок ABCD, где АВ — граница этого участка. Одна вертикальная атомная плоскость в верхней половине кристалла уже ие имеет продолжения в нижней половине (см. рис. 39, б). Такую лишнюю неполную атомную плоскость называют экстраплоскостью. Экстраплоскость действует как клин (плоскость В), изгибая решетку вокруг своего нижнего края. Над дислокацией атомы в кристалле уплотнены, а под ней раздвинуты. Атом на самой кромке экстраплоскости А—А имеет меньше соседей, чем атом внутри совершенной решетки. Область не jlеовершенєтва кристалла вокруг края !^ экстраплоскости и называется краевой Ж . (линейной) дислокацией. Краевая дислокация пред-Щ ставляет собой быстрозатухающее поле упругих напряжений в кристаллической решетке вокруг края экстраплоскости, вызван-ное тем, что выше этого края параметры решетки несколько сжаты, j^V а ниже соответственно растянуты. В одном измерении протяжен-ность дислокации такая же, как и длина края экстра плоскости (линия АВ на рис. 39, а), т. е. имеет макроскопический характер (дислокация может обрываться только на границе кристалла — она является границей зоны сдвига). В плоскости чертежа иска-жения в кристаллической решетке распространяются на неболь-шие расстояния — до десяти атомных диаметров. Для большей наглядности следует мысленно представить себе, что указанная область несовершенства находится как бы внутри '^Ш трубы, осью которой является край экстраплоскости. ^F,Внутри трубы (в так называемом ядре дислокации) строение кристалла сильно искажено, вне этой трубы оно близко к идеаль-Лк ной решетке. ^"Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют положительной и обозначают центр этой дислокации знаком J_; если экстраплоскость нахо-К дится в нижней части кристалла, то ее назьшают отрицате-л ь н о и и обозначают знаком т. Дислокации одного и того же знака отталкиваются, а противоположные по знаку притягива 92 югся. Под воздействием напряжения краевая дислокация АВ (см. рнс. 39, а) или АА (см. рис. 39, б) будет передвигаться по плоскости С (рис. 39, б) справа налево, пока дислокация не достигнет границы зерна (или блока). Движение краевой дислокации — консервативное, без переноса вещества. Дислокации в кристалле могут взаимодействовать как друг с другом, так и с другими дефектами. Если противоположные по яиаку дислокации движутся в одной плоскости, то, сближаясь, оии могут взаимно уничтожаться, аннигилировать (при этом и кристалле образуется полная плоскость). Области растяжения и сжатия, связанные с краевой дислокацией, притя-itid.hot примесные атомы, так как этим атомам легче разместиться в зонах с не-мріївильной структурой. Притяжение атомов примесей, вызванное разными причинами, приводит к "осаждению" этих атомов в виде цепочки вдоль края экстра-нлоскости. Такая цепочка инородных атомов называется атмосферой Коттрелла или облаком Коттрелла. Возникая на дислокациях, я гмосфера Коттрелла вначале затрудняет, а затем и тормозит движение дислокаций. С повышением температуры атмосфера Коттрелла рассасывается. При понижении температуры концентрация примеси около дислокации возрастает, и по достижении предела растворимости вблизи ядра дислокации могут даже обра-. чиваться дисперсные выделения второй фазы. Вдоль ядра дислокации фактически наблюдается ускоренная диффузия Примесных атомов. Этот эффект получил название "диффузия по трубке". В объеме кристаллов дислокации располагаются в виде сеток. Наряду с сетками могут существовать как отдельные дислокации, так и дислокационные сплетения (клубки), которые возникают при сложном и. чнпмодействии точечных дефектов и дислокаций. Характеристикой дислокационной структуры является плотность дислокаций — суммарная длина всех линий дислокаций в единице объема р = см~^. Здесь 2/ — суммарная длина всех линий дислокаций в кристалле, см; v — объем кри IП1.чла, см*. Плотность дислокаций можно определять и как число дисло-кмций, пересекающих единицу площади (например, металлографического шлифа). Плотность дислокаций зависит от состояния ме-111.'1ла. В монокристаллах р \QP—10^ см~"^, в отожженных поли-нристаллических металлах р 10"'—10"" см"^, после холодной Лі-формации плотность дислокаций увеличивается до 10**—10'^см"*. ІІругой тип дислокаций впервые был описан Бюргерсом и им іиаи винтовой дислокацией. Віпітовьіе дислокации, так же как и краевые, могут бьітї, по-іучеиьі с помощью частичного сдвига (рпс. 40) по плоскости Q |нК|уг линии EF, При этом на поверхности образуется ступенька, проходящая не по всей поверхности кристалла, а только от точки Е ю ир.ія кристалла. Такой частичный сдвиг нарушает параллель-иі.1 м. іітомньїх слоев, кристалл превращается как бы в одну атом II\ 10 плоскость, закрученную по впиту вокруг линии EF. Линия EF Ир' дставляет границу, отделяющую ту часть плоскости скольжении, где сдвиг уже прошел, от части, где сдвиг еще не начинался, 93
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 44 45 46 47 48 49 50... 398 399 400
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
