нормальным при больших г со средним и дисперсией а/ц\ [103]. Если поток активных центров пуассоновский, то р, а С, тогда распределено асимптотически нормально со средним и дисперсией, равными Лг. Этот результат по существу был использован при построении модели с фиксированным С.

МОДЕЛЬ СХВАТЫВАНИЯ

Проблема схватывания уже многие годы привлекает внимание исследователей различных специальностей. Такое внимание становится тем более оправданным в связи с развитием космической техники. Проблеме схватывания посвящено большое число экспериментальных и теоретических работ. Однако полного понимания этого явления нет до настоящего времени и при решении практических задач главным остается эмпирический метод.

Реальные поверхности твердых тел даже при очень высоком классе обработки геометрически неоднородны. Поэтому при соединении металлов в твердой фазе отдельные приконтактные объемы (микроучастки) могут быть значительно деформированы. На этих участках последовательно протекают процессы образования физического контакта, активации контактных поверхностей и образования межатомных связей. Одновременно могут существовать такие микроучастки, на которых еще не произошло образования физического контакта. Таким образом, разделение процесса на отдельные стадии является справедливым только для микроскопических участков контактной поверхности. Разработанные модели образования физического контакта и активации контактных поверхностей позволяют предложить модель схватывания контактных поверхностей, т. е. такую модель, в которой учитывается одновременное протекание различных стадий процесса по всей поверхности взаимодействия, имеющей макроскопические размеры.

В силу геометрической и атомной неоднородности поверхности, неравномерности деформации по поверхности и ряда других неконтролируемых факторов давление Р в контакте меняется от точки к точке поверхности случайным образом, т. е. Р есть случайная величина со значениями на отрезке [Рр, Р0]. В первом приближении можно считать, что распределение случайной величины Р равномерное. Пусть Nc (£, Р) — число атомов на единицу контактной поверхности, образовавших межатомные связи к моменту времени /. Поскольку А^с зависит от Р, а также от некоторого случайного события со, то функция Л/с (г, Р, со) случайная, причем этот случайный процесс зависит от г как от параметра. Обозначим рассматриваемый процесс сокращенно Ыс (/, Р), опуская случайный аргумент со. Дело в том, что если явно описывать пространство элементарных событий О = {со}, то отдельные элементарные события в данной задаче будут чрезвычайно сложными. Впрочем, как будет показано ниже, это пространство не играет в рассматриваемой модели особой роли.