Рис. 45. Схема измерения электросопротивления 1 Рис. 46. Кинетика изменения электропроводности зоны стыка: Л В—активная деформация; ВСД—деформация, определяемая процессом ползучести (схема) Нагрев образцов производился слаботочной эффективной системой нагрева радиационного типа. Температура контролировалась ХА-термопарой, приваренной вблизи исследуемого стыка. Особенностью этой системы нагрева, позволившей произвести измерение электросопротивления в динамическом режиме с высокой точностью, является отсутствие воздействия на исследуемый объект тока, напряжения и магнитного поля. Измерение электросопротивления производилось по схеме двойного моста (рис. 45). Измерительный ток, пропускаемый через образцы, составлял обычно несколько ампер. Сигнал разбаланса моста измерялся микровольтмикроамперметром Ф 116 и записывался электронным потенциометром ЭПП-09 со временем пробега кареткой прибора всей шкалы 1 с. Эта схема позволяла измерять и записывать изменение электросопротивления с точностью до Ю-9 Ом. Относительная величина изменения электросопротивления устанавливалась тарированием. Исследование процесса развития физического контакта на ос-Ре проводили при Рр = 0,5 кгс/мм2 в интервале температур 20—350° С и при температурах 500 и 600' С. При температурах ниже температуры рекристаллизации развитие физического контакта за счет деформации микронеровностей на поверхности соединяемых образцов может сопровождаться наклепом всего приповерхностного слоя. На основании проведенных экспериментов можно сделать вывод о том, что процесс образования физического контакта протекает в два этапа, включающие активную деформацию (пластическая и упругая составляющие), и деформацию, определяемую процессом ползучести микронеровностей при непрерывно уменьшающемся напряжении (рис. 46). Активная деформация реализуется при приложении давления и характеризуется некоторой конечной скоростью, определяемой Динамическими свойствами системы давления. Анализ полученных экспериментальных данных (рис. 47) показывает, что существует сложная зависимость между степенью развития контакта и температурой на втором этапе процесса. При Т = 50 и 250° С
Карта
|
