Рис. 3.25. Схема структури покриттів:

/ — межа між покриттям і основою; 2 — межа між шарами покриття; 3 — межа між частинками; Д. — діаметр ділянки контакту, на якій відбувається приварювання частинки

0,1—10 мкм; товщина деформованих частинок— 2,0—20 мкм; протяжність поліморфних зон у дискретних частинках — 0,1— 1,0 мкм; товщина меж між частинками — до 1 мкм; протяжність ділянок зчеплювання по межах частинок — 0,1—0,5 мкм; ширина тріщин між частинками — 0,08—0,3 мкм.

Субмікроструктура частинок складається із зерен і тріщин, ширина яких оцінюється як (6—15) • І О-4 мкм.

Наявність у газодисперсному потоці частинок, які в момент співудару з основою знаходяться в різних агрегатних станах, є найважливішим фактором, який визначає характер і ступінь структурної та механічної неоднорідності матеріалу покриття.

Характер взаємодії частинок з основою і сусідніми частинками так само, як і їх стан на момент співудару, визначають появу, тип і розмір таких структурних елементів покриттів, як мікротрі-щини; великі сфероподібні порожнини — пори, які утворюються внаслідок наявності крупних бульбашок газу в рідкому матеріалі частинок і руйнування частинок-балонів; дрібні пори (канали, лійкоподібні утворення, які виникають при виході малих порцій газу з матеріалу частинок); мікропорожнини, пов'язані з наявністю розвиненого мікрорельєфу на поверхні частинок; вертикальні межі стовпчастих утворень і тріщин вздовж них у тілі частинок внаслідок дендритного кристалоутворення; ядра, частинки і уламки неправильної форми; дрібні краплеподібні включення (результат неповного проплавлення, розбризкування при перегріванні і підвищених швидкостях) та ін. Умови колективної взаємодії визначають характер і щільність упаковки вказаних елементів.

Співвідношення кількості частинок, які знаходяться в різних агрегатних станах, визначається видом матеріалу, режимом нанесення покриття і гранулометричним складом дисперсного матеріалу. У загальному випадку у формуванні покриття одночасно беруть участь частинки, які перебувають у різних агрегатних станах.