Рис. 3.23. Схема, яка пояснює вплив термічно активної частинки І на термічний цикл у контакті під частинкою 2, що утворює покриття

Є — продуктивність напилення; Я — радіус роз-

сіювання, який пов'язаний із коефіцієнтом зосередженості к питомого розподілу матеріалу на основі залежності Я = к~°'5; а\ — діаметр напилюваних частинок; р —коефіцієнт використання матеріалу; Рч — густина напилюваного матеріалу; г — радіус частинки, яка розтеклася на основі; И — висота затверділої частинки.

Якщо оцінити імовірність взаємного теплового впливу частинок, наприклад, для плазмового напилення сучасним серійним обладнанням, то отримаємо значення Р 7,5 • 10"2.

Таким чином, імовірність взаємного теплового впливу частинок на основі досить мала. Однак із підвищенням продуктивності ця імовірність збільшується і при продуктивності, яка перевищує 100 кг/год, прямує до одиниці.

Неоднорідність умов завантаження високотемпературного потоку дисперсним матеріалом, а також його нагрівання і прискорення неминуче призводить до неоднорідності умов формування матеріалу покриття.

Як приклад, розглянемо напилення нерухомим розпилювачем на нерухому основу А1203. При цьому формується так звана фігура напилення. Дослідження, проведені для плазмового струменя, довели, що центр плями напилення — точка максимальної товщини фігури напилення, не збігається з центром струменя, а вісь каналу масоперенесення дисперсної фази не збігається з віссю несучого потоку (рис. 3.24). Кут між осями становить 1,2—2°.

У перерізі фігура напилення несиметрична відносно центра плями і її профіль, у загальному випадку, не описується нормальним гауссовим розподілом.