•твердіння частинки, в процесі якого контактна температура Тк залишається сталою, а над рухомим фронтом кристалізації знаходиться рідина;

•охолодження частинки, яка стала вже твердою, до температури основи.

Рівень Г0, від якого ведуть відлік температури в розрахунках, відповідає температурі підігрівання поверхні основи в різних точках плями напилення. Якщо основу підігрівати, тобто збільшувати Т0, то можна збільшити температуру частинок у контакті Тк і інтенсифікувати їх приварювання до основи.

На стадії твердіння частинки в контакті підтримується стала температура:

Т*= /""і) ч'(140)

де Ке = (Х1Д2)Л/а2/0| — критерій теплової активності частинки

відносно основи; ?ц і Х2 — коефіцієнти теплопровідності; я, і й2 — відповідно коефіцієнти температуропровідності частинки і основи; Кь — критерій, який оцінює приховану теплоту плавлення Ьч матеріалу частинки: Кь = счТпя/(1,77Ьч); с.„ Тш — теплоємність і температура плавлення матеріалу частинки; Ф(сс) — функція інтеграла імовірності; а = /{КЕ, Кс) — корінь рівняння

Кв+Ф(о) = (К1,е-а2)/а.

Час /0, протягом якого частинка твердіє, і в контакті підтримується температура Тк, при Тч - Тпл обчислюється за формулою

уїси) о,

де /гч — висота затверділої частинки.

Частинки повністю холонуть до температури основи приблизно за час 100 (0. В основі під частинкою проходить інтенсивне нагрівання, і градієнти температури досягають 107 К/м.

Підвищення температури основи на різній глибині по осі частинки для стадії твердіння (/ і0) можна оцінити за виразом

Т0(х,і) = Тк

(3.42)