РгРмг* Рис. 9.8. Схема хімічного випарову-

||1+ ,„вання металу:

ТІТІ/— газова фаза; 2— адсорбований шар;

Л/ +Л/ » N- 2 3 — метал, який випаровується; рг — тиск

галогену в газовій фазі: Лр — концен-

^2трація галогену в адсорбованому шарі;

.„ Л'у — концентрація адсорбованих на по-

ШШШвЖШда — 3 перхні атоміп металу; ^ _ .«„центра.

^ція адсорбованого галогеніду металу;

рш — тиск галогеніду металу в газовій фазі; и, — швидкість адсорбції атомів галогену; № — швидкість переходу атомів металу в адсорбований стан; к% — швидкість утворення галогеніду металу: щ — швидкість десорбції галогеніду металу

ції. Отже, концентрація адсорбованого галогену ніколи не буде високою.

2. Швидкість реакції визначається виходом атомів металу з ґратки в положення, сприятливе для здійснення адсорбції. Припустимо, що початкові швидкості мь м}, м4 вищі, ніж м2. Якщо галоген сильно адсорбується, високе значення в, приводить до того, що при тиску, вищому від мінімального, необхідного для насичення, майже всі доступні місця адсорбції будуть зайняті. Якщо атом чи молекула галогену віддаляється від поверхні внаслідок реакції з металом, вільне місце займає частинка з газової фази.

Отже, доти, доки тиск галогену вищий від певного мінімального значення, швидкість реакції не залежатиме від тиску.

Спрощену модель перенесення металовмісної речовини до поверхні і видалення продуктів реакції з поверхні наведено на рис. 9.9. Товщина дифузійного примежового шару може змінюватися не тільки за часом, а й за відстанню, що ілюструється поступовим розширенням ліній потоку в нижній частині. Швидкість сумарного процесу газофазного осадження можна виразити через молярні частки компонентів у потоці:

у =-7-¡4-,(9-2)

-+ 1 + — —

де Кш і Ар — відповідно сталі швидкості і рівноваги реакції; К„ — коефіцієнт масопередачі; р — загальний тиск; хА — молярна частка компонента А у потоці; хк — молярна частка газоподібного продукту Я у потоці.