SiCl4 + 2Н2 +2С02 -► Si02 + 4НС1 + 2СО.

Високотемпературне пряме окиснення киснем газоподібних галогенідів чи металоорганічних безкисиевих сполук використовується для отримання покриттів з оксидів:

2А1С13 + 1,502 А1203 + ЗСІ2, ТіС14 + 02 - Ті02 + 2С12.

Аналогічно осаджується більшість інших елементів (Fe, Ni, Be, Al, Cr, Ti, Hf, Th, V, Nb, Мо, Ta) та їхніх боридів, нітридів, карбідів і оксидів.

Газофазне нанесення покриттів умовно можна подати як послідовність елементарних процесів:

1)хімічне випаровування, пов'язане з отриманням металовмісних сполук;

2)перенесення газоподібної металовмісної речовини;

3)взаємодія газоподібної металовмісної речовини з поверхнею основи;

4)формування покриття.

Процес хімічного випаровування базується на зміні вільної енергії при утворенні леткої сполуки металу на відміну від термічного випаровування чи катодного розпилення, особливістю яких є передача кінетичної енергії, яка необхідна для випаровування чи розпилення. Тому хімічне випаровування може здійснюватися при нижчих температурах з економією енергії. Схема процесу випаровування металу при взаємодії з галогеном наведена на рис. 9.8.

Із кінетичної теорії газів відомо, шо підвищення температури металу приводить до зменшення концентрації адсорбованих атомів (наприклад, галогену), а підвищення тиску газової фази — до її зростання. При хімічному випаровуванні можливі два найважливіші випадки.

1. Швидкість реакції визначається адсорбцією галогену. Припустимо, що початкові швидкості w2, w3, w4 великі порівняно з и,. Тоді швидкість сумарної реакції буде пропорційною концентрації галогену, адсорбованого поверхнею. Оскільки швидкості інших процесів високі, галоген реагуватиме відразу після адсорб-