9.2. Хімічне осадження

Закономірності осадження. При газофазному осадженні покриття утворюються внаслідок перебігу хімічних реакцій поблизу поверхні, на поверхні чи в приповерхневому шарі основи. Вихідними продуктами є газоподібні галогеніди, карбоніли чи металоорганічні сполуки, при розкладанні чи взаємодії яких з іншими газоподібними складовими сумішей (воднем, аміаком, вуглеводнями, оксидом вуглецю та ін.) можуть утворюватись і осаджуватись на оброблюваній поверхні потрібні матеріали.

На рис. 9.7 наведена схема установки, на якій можлива реалізація процесу газофазного осадження.

Основа 7, на яку наноситься покриття, розміщується в герметичній камері. Щоб забезпечити рівномірність товщини покриття, таку основу можна обертати за допомогою електроприводу 8. Речовини, компоненти яких формують покриття, містяться в спеціальних резервуарах 2.

Певне середовище створюється за допомогою газів, що знаходяться в балонах 10 і надходять до реактора / і резервуарів 2.

Газофазне осадження здійснюють термічним розкладанням, відновленням, гідролізом, високотемпературним прямим окис-ненням.

При термічному розкладанні основу нагрівають до температури розкладання газоподібних робочих сполук з осадженням їхніх нелетких компонентів на поверхні основи. Процес здійснюється у вакуумі 1-10"' Па, а також у нейтральному чи іншому підібраному середовищі газів-носіїв. Осадження простих речовин відбувається за реакціями

\У(СО)6 \У + 6СО, 2гІ4 - + 2І2, В2Н6 -► 2В + ЗН2, 8іН4 8і + 2Н2,

8і(ОС2Н5)4 5і02 + 4С2Н4 + 2Н20, 2АІ(ОС2Н5)3 -► А1203 + 6С2Н4 + ЗН20,

2ТІ(ВН4)3 -► 2ТІВ2 + В,Н6 + 9Н2.