Таблиця 6.4. Зміна зносостійкості матеріалів внаслідок іонного легування

При великих дозах зміна провідності металів відбувається також внаслідок зміни концентрації носіїв заряду. При таких дозах можливе утворення нових сплавів чи хімічних сполук. Так, при бомбардуванні плівок танталу і титану іонами вуглецю, азоту, кисню синтезуються нові фази — оксикарбонітриди відповідного металу. При дозах порядку 1017 см"2 і більше на основі танталу вдається отримати високостабільні резистори з температурним коефіцієнтом опору близьким до нуля.

На відміну від металів зміна провідності напівпровідників внаслідок іонного бомбардування відбувається насамперед завдяки зміні концентрації п, а не рухомості носіїв заряду.

Введення атома домішки в напівпровідник супроводжується появою в забороненій зоні локального енергетичного рівня (чи кількох рівнів). Залежно від речовини, типу проникного атома, місця його розташування в гратці такі домішкові центри можуть мати різні електричні властивості. При іонній імплантації можна вводити центри, які є ефективними донорами чи акцепторами і, таким чином, у надзвичайно широких межах змінювати провідність напівпровідників.

Наприклад, атоми літію є ефективними донорами при проникненні в кремній і германій, оскільки вони знаходяться в між-