мати також процес катодного розпилення. Оскільки коефіцієнти катодного розпилення для різних граней різні, то кристали з несприятливою орієнтацією будуть швидше розпилюватись, і поверхня буде збагачуватися кристалами з такою орієнтацією, якій відповідає мінімальна швидкість розпилення.

Крім того, іонне опромінення може призводити до перебудови ґратки.

Якщо опромінювати метал з ОЦК-ґраткою, можливий перехід до більш щільноупакованих ґраток — ГЦК або ГЩУ.

Спостерігались також переходи ГЦК - ГЩУ, ГЩУ - ГЦК.

Іонним опроміненням можна отримати гексагональні залізо і нікель, гранецентровані кобальт, титан, ванадій, чого не вдається досягти при нормальних тисках і температурах іншими методами. Отримані таким способом (в неоднакових умовах) кристали є метастабільними, а їх нагрівання до 400—500 °С приводить до відновлення вихідної структури.

Для деяких комбінацій іон—метал при імплантації великих кількостей домішок (5—10 %) утворюються некристалічні сплави, для яких характерна аморфна, склоподібна структура. Прикладами таких систем є: XV—Си, Та—Си, В—ІМі, Р—ТМі (першими вказані імплантовані іони). Такі метастабільні сплави можуть бути досить стійкими.

Пластичність залежить від кількості дислокацій і їх здатності переміщуватися. Крім того, поблизу кожної дислокації є поле напружень, зумовлене деформацією ґратки. Якщо в кристал внаслідок опромінення або наступного відпалу при високій температурі вводяться рухомі дефекти, під впливом поля напружень вони перерозподіляються й оточують дислокації атмосферами Котрела. Для твердого розчину заміщення атоми, які мають розміри менші за розміри атомів матриці, накопичуються в стиснутих областях, а домішкові атоми більшого розміру — в розтягнутих. Такий перерозподіл атомів зменшує енергію кристала, знімаючи напруження. Наслідком цього є те, що дислокації стануть ніби прив'язаними до своїх атмосфер, пластичність кристала зменшиться, а границя пружності зросте.

Таким чином, легування може привести до своєрідного зміцнення твердих тіл. Для переходу від пружної деформації до пластичної потрібно "відірвати" дислокацію від тієї атмосфери, яка її оточує.

Якщо іонним опроміненням вводяться нерухомі дефекти — розупорядковані області, то це також впливає на пластичність матеріалу. При прикладанні навантаження, достатнього для руху